русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Влияние радиации на коэффициент усиления

<== предыдущая статья |

Максимальный интегральный поток частиц Ф, который может выдерживать транзистор для заданного изменения параметра b0 , определяется из соотношения:

, (10.1)

где fа – граничная частота усиления по току в схеме с общей базой;

b0 – коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером (до начала облучения);

b0об - коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером (после облучения);

к – постоянная, зависящая от типа транзистора (нейтр/с)/см2.

 

Таблица 10.6. Значения коэффициента к.

 

Материал

Тип проводимости транзистора

к

Германий n

p-n-p

(4,2 ± 0,2)*107

Германий p

n-p-n

(1,8 ± 0,2)*107

Кремний n

p-n-p

(3,1 ± 0,4)*106

Кремний p

n-p-n

(4,6 ± 3,3)*106

Как видно из таблицы наибольшую радиационную стойкость имеют германиевые p-n-p транзисторы. Они при прочих равных условиях выдерживают поток быстрых нейтронов на 1 – 2 порядка больше, чем кремниевые. Ориентировочно для оценки радиационной стойкости можно пользоваться диаграммой.

 

Транзисторы

База

 

 

 

 

 

Кремниевые

fа ¯

большой

толщины

 

 

 

 

 

 

средней

толщины

 

 

 

 

 

 

тонкая

 

 

 

 

 

 

 

Германиевые

fа ¯

большой

толщины

 

 

 

 

 

 

 

средней

толщины

 

 

 

 

 

 

тонкая

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1010

1011

1012

1013

1014 нейтр

см2

 

 

 

2,5*105

2,5*106

2,5*107

2,5*108

2,5*109

Р

                                           

Левые границы прямоугольников соответствуют тем значениям потоков и доз, при которых становятся заметными необратимые изменения, а правые границы – значения потоков и доз, при которых характеристики транзисторов находятся на грани пригодности (в качестве критерия годности выбрано изменение коэффициента усиления b0).

Предпочтение следует отдавать германиевым p-n-p транзисторам с высоким значением fа и малым b0 для устройств, работающих в условиях ионизирующей радиации.

При радиации происходит в основном изменение кратковременное Iк0. Причинами изменения являются:

а) ионизация, создаваемая g - лучами, изменяющая поверхностные свойства полупроводника;

б) свойства материала корпуса, окружающего переход;

в) разрушения в полупроводниках, обусловленные нейтронами.

Ионизация, создаваемая радиацией, инжектирует избыток носителей в транзистор, вследствие чего возникают значительные шумы. Например, облучении потоком g - лучей при мощности дозы 2*106 Р/ч приводит к возрастанию шумов на 2 дб. Шумы исчезают при выходе из поля излучения.

Просмотров: 670

<== предыдущая статья |

Это будем вам полезно:

Принципы экранирования магнитного поля

Компоновочные схемы ФЯ цифровой МЭА IV поколения

Преимущества печатного, шлейфового и плёночного монтажа

УНИФИКАЦИЯ КОНСТРУКЦИЙ ЭС

Особенности автоинтерактивного конструирования средствами малых ЭВМ и АРМ

Технологический фактор в художественном конструировании

Основные понятия и виды облучения

Ритм и Синтез

Основные виды конструкционных систем

Потребительские свойства изделия

Единая система конструкторской документации (ЕСКД)

Художественные вопросы конструирования ЭС 13.3.1. Композиция

Унификация ЭС

Системные факторы, определяющие построение электронных средств

Вернуться в оглавление:Основы проектирования электронных средств




Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Полезен материал? Поделись:

Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.