русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Величины нейтронного потока при котором возникают необратимые изменения в резисторах и короткое замыкание, нейтр/см2

<== предыдущая статья | следующая статья ==>

Тип резисторов

Начало

изменений

Короткое

замыкание

Углеродистые композиционные

постоянные

1013

1019

переменные

1013

1019

Углеродистые пленочные постоянные

1013

109

переменные

1013

1019

Проволочные постоянные

1019

1020

Проволочные и ленточные переменные

1019

1020

 

 

 

Рисунок 10.1 - Зависимость сопротивления тонкопленочных (1 – 3) и проволочных (4) резисторов от длительности гамма – облучения при общей дозе 2*109 Р.

 

Импульсное (длительность импульса 0,1 мс) гамма – облучение дозой 103 Р при мощности дозы 107 Р/с в резисторах различных номиналов вызывает обратимые изменения.

 

 

Таблица 10.4.

 

Номинал, кОм

Изменение величины сопротивления во время облучения в %

1

1

10

0,5 – 4

100

5 – 15

1000

30 – 75

10000

65 – 85

 

При малых дозах импульсного нейтронного и гамма облучения, воздействующих одновременно, изменение параметров резисторов разных типов носит обратимый характер (величина изменения определяется не конструкцией, а размерами резисторов). Характеристики резисторов полностью восстанавливаются через 1 – 5 мс после облучения.

 

Просмотров: 1860

<== предыдущая статья | следующая статья ==>

Это будем вам полезно:

Экранирование

Влияние радиации на полупроводниковые диоды

Влияние радиации на конденсаторы.

КОНСТРУКТОРСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ

Механические воздействия на МЭА

Конструирование электромонтажа объемным проводом

Стадии разработки ЭС

Проект - разработанный специалистами план

Социологический фактор в художественном конструировании

Принципы экранирования магнитного поля

Современность

Паразитная связь через электромагнитное поле и волноводная связь

Эстетика - наука, изучающая прекрасное в действительности

Вернуться в оглавление:Основы проектирования электронных средств




Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.