русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Полупроводники и их свойства.


Дата добавления: 2015-09-15; просмотров: 960; Нарушение авторских прав


По свойствам п.п. – между проводниками и диэлектриками.

Материалы: кремний, германий, индий, фосфор, сурьма, галлий.

Структура: кристаллическая.

Электроны на внешних орбитах одного атома взаимодействуют с электронами другого – образуют ковалентные связи.

 

Ковалентные связи неустойчивы -> электрические свойства п.п. сильно зависят от внешних воздействий (свет, t°).

 

При движении свободных электронов в кристалле п.п.-ка, они взаимодействуют с дырками в структуре других атомов (это - рекомбинация).

Собственная электропроводность п.п. – движение электронов, возникающее за счет рекомбинации и разрыва ковалентной связи.

Собственная электропроводность незначительна по сравнению с проводимостью п.п. Для её увеличения добавляют примеси, увеличивающие количество электронов и дырок.

Если увеличилось кол-во электронов – п.п. стал n-типа, если дырок – p-типа.

Электронная проводимость – получение тока в п.п. за счет движения электронов.

Дырочная проводимость – получение тока за счет увеличения числа дырок.

Основные носители: в п.п. n-типа – электроны, p-типа – дырки.

I = I прямой – I обратный. Прямой ток больше обратного.

При прямом смещении I пр >> 0.

Движение основных носителей в p-n переходе будет обуславливать Iр. Его значение может быть большим. Кроме него в p - n переходе будет обратный ток за счет движения не основных носителей.

Обратное смещение: дырки в p-области смещаются к отрицательному электроду, т.к. имеют положительный заряд, а электроны в проводнике n-типа будут концентрироваться около положительного электрода. Этот процесс будет продолжаться, пока внутри перехода не будет внутреннее поле E вн., которое уравновесит внешнее поле. При уравновешивании полей ток через p-n-переход будет отсутствовать, за исключением обратного тока.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Построение графика функции в Turbo Pascal. | Выпрямительные диоды.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.189 сек.