русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Теорема Гаусса для электрического поля


Дата добавления: 2015-08-31; просмотров: 2293; Нарушение авторских прав


4.1. Эбонитовый сплошной шар (e = 3,0) радиусом R = 5см несет заряд, равномерно распределенный с объемной плотностью r = 10,00 нКл/м3. Определить напряженность Е и смещение D электрического поля в точках на расстоянии r = 3 см от центра сферы.

4.2. Эбонитовый сплошной шар (e = 3,0) радиусом R = 5 см несет заряд, равномерно распределенный с объемной плотностью r = 10,00 нКл/м3. Определить напряженность Е и смещение D электрического поля в точках на поверхности сферы.

4.3.Эбонитовый сплошной шар (e = 3,0) радиусом R = 5 см несет заряд, равномерно распределенный с объемной плотностью r = 10,00 нКл/м3. Определить напряженность Е и смещение D электрического поля в точках на расстоянии r = 10 см от центра сферы.

4.4.Длинный парафиновый цилиндр (e = 2,0) радиусом R = 2 см несет заряд, равномерно распределенный по объему с объемной плотностью r = 10 нКл/м3. Определить напряженность E и смещение D электрического поля в точках, находящихся на расстоянии r1 = 1 см от оси цилиндра.

4.5.Длинный парафиновый цилиндр (e = 2,0) радиусом R = 2 см несет заряд, равномерно распределенный по объему с объемной плотностью r = 10 нКл/м3. Определить напряженность E и смещение D электрического поля в точках, находящихся на расстоянии r = 3 см от оси цилиндра.

4.6.Полый стеклянный шар (e = 7,0) равномерно заряжен по объему с плотностью r =0,10 мкКл/м3. Внутренний радиус шара R1 = 5 см, наружный R2=10 см. Вычислить напряженность Е и смещение D электрического поля в точках, находящихся на расстоянииr = 3 см от центра шара.

4.7.Полый стеклянный шар (e = 7,0)равномерно заряжен по объему с плотностью r = 0,10 мкКл/м3. Внутренний радиус R1 шара равен 5 см, наружный R2 равен 10 см. Вычислить напряженность Е и смещение D электрического поля в точках, находящихся на расстоянии
r = 6 см от центра шара.



4.8.Полый стеклянный шар (e = 7,0) несет равномерно распределенный по объему заряд с плотностью r = 0,10 мкКл/м3. Внутренний радиус шара R1= 5 см, наружный R2 = 10 см. Вычислить напряженность Е и смещение D электрического поля в точках, отстоящих от центра шара на расстоянии r = 12 см.

4.9.Большая плоская пластина толщиной d = 1 см равномерно заряжена по объему с плотностью r = 100 нКл/м3. Найти напряженность E электрического поля вблизи центральной части пластины на малом расстоянии от неё.

4.10.Лист стекла (e = 7,0) толщиной d = 2 см равномерно заряжен с объемной плотностью r = 1,00 мкКл/м3. Определить напряженность E и смещение D электрического поля в точке А, отстоящих от края пластины на расстоянии d/4 (рис. 37).

4.11.Лист стекла (e = 7,0) толщиной d=2 см равномерно заряжен с объемной плотностью r =1,00 мкКл/м3. Определить напряженность E и смещение D электрического поля в точке B, отстоящих от края пластины на расстояние 3d/4 (рис. 37).

4.12.Лист стекла (e = 7,0) толщиной d=2 см равномерно заряжен с объемной плотностью r = 1,00 мкКл/м3. Определить напряженность E и смещение D электрического поля в точке С, лежащей на поверхности пластины (рис. 39).

 

4.13.Плоская стеклянная пластина (e = 7,0) толщиной d =2 см заряжена равномерно с объемной плотностью ρ = 10,00 мкКл/м3. Найти разность потенциалов Δφ между точкой, лежащей на поверхности пластины, и точкой, находящейся внутри пластины в ее середине. Считать, что размеры пластины велики по сравнению с ее толщиной.

4.14.Сплошной парафиновый шар (e = 2,0) радиусом R = 10 см равномерно заряжен с объемной плотностью ρ = l,00 мкКл/м3. Определить потенциал φ электрического поля в центре шара.

4.15.Сплошной парафиновый шар (e = 2,0) радиусом R = 10 см равномерно заряжен с объемной плотностью ρ = 1,00 мкКл/м3. Определить потенциал φ электрического поля на поверхности шара.

4.16. В центре полого металлического шара радиусом R = 1,00 м, имеющего заряд q1 = 9,00×10-8 Кл, находится маленький шарик радиусом r = 1 см с зарядом q2 = –3,00×10–8 Кл. Найти потенциал и напряжённость электрического поля в точках, расположенных на расстояниях 30см и 3,00 м от центра шаров.

4.17. Точечный заряд q = 5 мКл находится в воздухе и помещён в центр полого металлического шара. Его внутренний радиус R1 = 6 см, внешний R2 = 10 см. Найти заряд, индуцированный на внутренней и внешней поверхностях полого шара, и поверхностную плотность заряда в двух случаях: 1) металлический слой изолирован; 2) слой соединён с землёй (заземлён).

4.18. Точечный заряд q находится в центре шара радиусом R из однородного изотропного диэлектрика с диэлектрической проницаемостью e. Найти напряжённость электрического поля как функцию расстояния от центра шара. Построить графики зависимости D(r) и E(r).

4.19. Пластину из эбонита (e = 3,0) толщиной 2,00 мм и площадью поверхности 0,03 м2 поместили в однородное электрическое поле с напряжённостью 1,00 кВ/м, расположив так, что линии напряжённости поля перпендикулярны поверхности пластины. Найти напряжённость наведённого поля и плотность связанных зарядов на поверхности пластины.

4.20.Радиусы внутреннего и внешнего шаров сферического вакуумного конденсатора R1 = 1 см, R2 = 4 см. К конденсатору приложено напряжение U = 3,00 кВ. Найти скорость, которую приобретает электрон при приближении к центру шаров с расстояния r1 = 3 см до расстояния r2 = 2 см.

4.21. Две концентрические проводящие сферы радиусами R1 = 0,06 м и R2= 0,10 м несут соответственно заряды Q1 = l,00 нКл и Q2 = –0,50 нКл. Найти напряженность Е поля в точках, отстоящих от центра сфер на расстояниях r1 = 0,05 м, r2 = 0,09 м.

4.22.Две концентрические проводящие сферы радиусами R1 = 6 см и R2 = 10 см несут соответственно заряды Q1 = l,00 нКл и Q2= – 0,50 нКл. Найти напряженность Е поля в точках, отстоящих от центра сфер на расстояниях r1 = 5 см, r2 = 15 см.

4.23.Сторонние заряды равномерно распределены с объёмной плотностью ρ > 0 по шару радиуса R из однородного изотропного диэлектрика с диэлектрической проницаемостью e. Найти модуль напряжённости электрического поля как функцию расстояния r от центра шара.

4.24. Бесконечно большая пластина из однородного диэлектрика с диэлектрической проницаемостью e заряжена равномерно с объёмной плотностью ρ. Толщина пластины 2d. Найти модуль напряжённости электрического поля как функцию расстояния x от середины пластины. Ось X направить перпендикулярно плоскости пластины. Построить графики зависимости D(x) и E(x).

4.25.Бесконечно большая пластина из однородного диэлектрика с диэлектрической проницаемостью e заряжена равномерно с объёмной плотностью ρ. Толщина пластины 2d. Найти потенциал электрического поля как функцию расстояния x от середины пластины, считая потенциал в середине пластины равным нулю. Ось X направить перпендикулярно плоскости пластины. Построить график зависимости j(x).



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Движение заряженных частиц в электрическом поле | Электроёмкость. Конденсаторы


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.188 сек.