Флэш-память

Флэш-память по определению относится к классу EEPROM, но использует особую технологию построения запоминающих ячеек. Стирание во флэш-памяти производится сразу для целой области ячеек (блоками или полностью всей микросхемы). Это позволило существенно повысить производительность в режиме записи (программирования). Флэш-память обладает сочетанием высокой плотности упаковки (ее ячейки на 30% меньше ячеек DRAM), энергонезависимого хранения, электрического стирания и записи, низкого потребления, высокой надежности и невысокой стоимости.

Современная флэш-память имеет время доступа при чтении 35-200 нс, существуют версии с интерфейсом динамической памяти и напоминающим интерфейс синхронной статической памяти. Стирание информации (поблочное или во всей микросхеме) занимает 1-2 сек. Программирование (запись) байта занимает время порядка 10 мкс, причем шинные циклы при записи - нормальные для процессора (не растянутые, как для EPROM и EEPROM)."

По устройству чип флэш–памяти в ячейках памяти cодержит полупроводниковые приборы — транзисторы. При подаче напряжения на выводы транзистора он принимает одно из фиксированных положений — закрытое или открытое. И остается в этом положении до тех пор, пока на выводы транзистора не будет подан электрический заряд, изменяющий его состояние.

Рис.5.6. Ячейка FLASH памяти

Таким образом, в самом простом случае ячейка FLASH состоит из одного полевого транзистора. Элемент включает в себя специальную электрически изолированную область, называемую «плавающим затвором». Этот термин возник из–за того, что потенциал этой области не является стабильным, что позволяет накапливать в ней электроны (именно здесь и хранится вся информация памяти).

Выше «плавающего» находится управляющий затвор, который является неотъемлемой частью при процессе записи/стирания данных памяти. Эта область напрямую соединена с линией слов. Перпендикулярно этой линии располагается линия битов, которая соединена со стоком (при записи данных из этой области транзистора появляется поток электронов). Сток разделяется с истоком специальной подложкой, которая не проводит электрический ток.

ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ НА ПАМЯТЬ

- Память больших объемов делится на оперативную (ОЗУ) и постоянную (ПЗУ).

- Основными узлами всех запоминающих устройств являются: дешифратор адреса, накопительная матрица, устройство управления.

-.Накопительная матрица состоит из элементов памяти, расположенных на месте пересечения координат строка-столбец.

- Последовательность кодов операций, составляющих программу, хранится в БИС ПЗУ

ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПРОВЕРКИ

1. Назовите основные характеристики запоминающих устройств.

2. Что означает термин «память с произвольным доступом»?

3. Перечислите типы ОЗУ, ПЗУ.

4. Как расшифровать «память емкостью 2048х8»?

5. Что является элементом памяти ОЗУ? ПЗУ?

6. Как осуществляется процесс записи информации в масочное ПЗУ? Однократно программируемое ПЗУ? Многократно программируемое ПЗУ?