Выходные передаточные характеристики полевого транзистора характеризуются следующей зависимостью.
С приложением к стоку положительного относительно истока напряжения, по каналу проходит ток и обратное напряжение на переходе изменяется вдоль оси Х, возрастая по направлению к стоку. Поэтому толщина обедненного слоя будет увеличиваться, а толщина канала уменьшаться по направлению к стоку, и при достаточно больших напряжениях произойдет пробой (объединение обедненных областей). В общем случае отсечка канала происходит при:
(12)
В результате отсечки канала происходит насыщение тока стока. Напряжение, при котором ток насыщается:
(13)
Передаточные характеристики отличаются от статических тем, что у полевых транзисторов выходной ток проходит при одной полярности напряжения.
Особенности полевых транзисторов.
Отличаются малым уровнем собственных шумов, стабильностью во времени. Это объясняется тем, что выходной ток в полевом транзисторе протекает в монокристалле, в котором отсутствуют поверхностные дефекты структуры. Дефекты структуры являются основными источниками шумов, а следовательно снижения стабильности. Полевые транзисторы защищены от перегрузок значительно лучше, чем МДП транзисторы. Являются неполярными приборами, нечувствительны к дефектам наполнения неосновных носителей заряда.
