русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

ФОТОПРИЁМНИКИ.


Дата добавления: 2015-08-14; просмотров: 518; Нарушение авторских прав


Все фотоприёмники базирутся на внешнем и внутреннем фотоэффекте. Внешний возникает при поглощении валентным электроном энергии . В этом случае электрон получает кинетическую энергию, достаточную для его перевода во внешнюю среду. Большинство приборов используют внутренний фотоэффект. Этот эффект реализовывается при условии, что валентный электрон поглощает энергию, величина которой недостаточна для перевода его во внешнюю среду. Реализуя внутренний фотоэффект в объёме кристаллаформмирется два случая:

1. Энергия фотона равна энергии, связывающей валентный электрон с атомом . Это значит, что электрон вышел за пределы потенциального поля атома и, по сути, является свободным, но при наличии теплового движения электрон вновь попадает в потенциальное поле, которое захватывает их, делая атом опять нейтральным или тепловое движение выбрасывает его за пределы иона. Последний вариант маловероятен из-за высокой частоты колебаний теплового поля, которое не даёт возможность далеко уйти за пределы потенциального поля. При образовании движения частиц теплового поля, оно закидывает его в область захвата поля положительного иона.

2. . Это означает, что Свободные электроны получают кинетическую энергию, выбрасывающую его за пределы действия потенциального поля положительного иона. Это приводит к образованию свободных электронов в кристалле и означает увеличение проводимости на величину свободных электронов. В отсутствии внешнего поля, свободные электроны совершают тепловое движение, но при подаче внешенго напряжения на кристалл, свободные электроны, не прекращая движения, начинают дрейфовать против поля.

 

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ОСОБЕННОСТИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ | ФОТОДИОДЫ


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.004 сек.