ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Принцип работы полевых транзисторов основан на модуляции площади поперечного сечения, а следовательно и сопротивления проводящего канала в объеме полупроводника под воздействием эффекта поля. Полевые транзисторы являются униполярными приборами, диоды Шотки и p-n переходы используются в структуре полевых транзисторов в качестве затвора. Рассмотрим полевой транзистор с затвором диод Шотки.

В качестве затвора в полевых транзисторах может использоваться p-n переход, и тогда в качестве обедненной области выступает ОПЗ обратносмещенного p-n перехода. Зависимость толщины обедненного слоя, а также основные свойства полевого транзистора одинаковы как с затвором p-n переход, так и с затвором диод Шотки. Полевые транзисторы состоят из n или p полупроводника с двумя омическими контактами истока и стока и обедненной областью формируемой затвором, выходным управляющим током является ток стока. Входным (управляющим) током служит ток затвора, который обозначается , который для стандартных кремневых переходов . На переход подается обратное смещение, тогда величина обедненного слоя:

(11)

У резких p-n переходов обедненный слой располагается в n области. С повышением обратного смещения на затворе будет увеличиваться толщина как следует из (11). Следовательно уменьшается толщина канала n. Таким образом, при изменении обратного смещения на затворе транзистора меняется площадь поперечного сечения канала, а значит и его сопротивление.

С приложением к стоку положительного по отношению к истоку напряжения изменяется ток канала, т. е. выходной ток транзистора. Усиление по мощности в полевых транзисторах реализуется за счет малого значения входного тока.