При работе МДП транзистора в режиме усиления, используются выходные ВАХ в области насыщения. В этой области при оптимальных значениях малосигнальных параметров возможно получение минимальных нелинейных искажений в усиливаемых сигналах. В этом режиме МДП транзистор характеризуется следующими малосигнальными параметрами:
1) крутизной 
(4)
2) внутренним сопротивлением 
(5)
3) коэффициент усиления 
(6)
Малосигнальные параметры связаны соотношением: 
(7)
Крутизна в области насыщения определяется из выражения:
(8)
при выполнении равенства 
, выполняется равенство 
Используя (8) и (3) можно получить зависимость: 
(9)
Внутреннее сопротивление в режиме насыщения описывается выражением:
(10)
где 
– концентрация акцепторов.
Выражение для коэффициента усиления легко получить из произведения (8) и (10):
типичные значения коэффициента усиления МДП транзисторов лежат в диапазоне 50–200.
