МДП-ТРАНЗИСТОР С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ

Схема конструкции транзистора этого вида имеет вид:

В полупроводниковой подложке p-типа сформировано две высоколегированные области – исток и сток. Металлический электрод – затвор отделен от подложки тонким слоем диэлектрика.

Основными параметрами МДП транзистора являются:

длина канала – l

ширина канала – b

толщина слоя диэлектрика – t

глубина переходов области –

уровень легирования подложки – .

Управляющей цепью в МДП транзисторе является цепь затвора, управляемой – цепь исток-сток. Управляющая цепь практически не потребляет тока, поскольку в нее входит участок с диэлектриком. Поэтому в МДП транзисторе получается значительное усиление мощности, намного больше, чем в биполярном транзисторе. Если напряжение на затворе отсутствует то электрическая цепь исток-сток представляет собой два встречновключенных перехода. Поэтому при любой полярности напряжения исток-сток один из переходов смещается в обратном направлении и в выходной цепи будет протекать ток обратносмещенного p-n перехода. Если к затвору приложен достаточно большой положительный потенциал, в p области образуется (индуцируется) инверсный канал за счет притяжения электронов из объема подложки к поверхности, возникает структура . Проводимость инверсного канала (коэффициент усиления) изменяется при изменении потенциала на затворе. Напряжение на затворе при котором образуется канал называется пороговым напряжением и обозначается . Если в качестве подложки использовать полупроводник n-типа, а области истока и стока выполнить с электропроводностью -типа, то сформируется p-канальный МДП транзистор.