Если область канала h отлегировать n-типом проводимости, то в исходном состоянии образуется структура . Если на затвор подать отрицательное напряжение, то электрона канала h будут оттеснены вглубь объема подложки. Между стоком и истоком образуется структура , т. е. подачей отрицательного напряжения на базу можно изменить сопротивление канала, а следовательно и коэффициент усиления транзистора. Поскольку в таких транзисторах только при значение порога напряжения теряет для них смысл, и вводится параметр напряжение отсечки. Напряжение отсечки это значение напряжения, при котором равновесные электроны уходят из встроенного канала, в результате чего цепь исток-сток разрывается.
. Если на затвор подать отрицательное напряжение, то электрона канала h будут оттеснены вглубь объема подложки. Между стоком и истоком образуется структура 
, т. е. подачей отрицательного напряжения на базу можно изменить сопротивление канала, а следовательно и коэффициент усиления транзистора. Поскольку в таких транзисторах только при 
значение порога напряжения теряет для них смысл, и вводится параметр напряжение отсечки. Напряжение отсечки это значение напряжения, при котором равновесные электроны уходят из встроенного канала, в результате чего цепь исток-сток разрывается.