Транзистор с барьером Шоттки.

Используют в быстродействующих ключевых схемах, которые могут за короткое время перейти из состояния с высоким напряжением и малым током в состояние с низким напряжением и большим током. В простейшем случае транзисторы с барьером Шоттки работают в режиме ключа и обладают тремя режимами работы:

-отсечки

-насыщения

-активный

Все транзисторы включаются по схеме ОЭ:

Базовую цепь с источником питания и рез. - управляющая. Управляемой(прерываемой)- является коллекторная цепь, включающая при отрицательной полярности источника. эмиттерный переход смещен в обратном направлении и эмиттер заперт в зоне отсечки.

При положительной полярности источника транзистор открыт. В цепи нагрузки проходит ток коллектора и остаточное напряжение на ключе может быть близким к нулю. Любая схема является инвертирующей, т.к. при увеличении входного напряжения падает. От положительного до малого остаточного напряжения, величина которого определяется оптическим сопротивлением полупроводника. Анализ показывает, что одним из основных факторов, ограничивающих быстродействие транзисторных ключей являются время рассасывания , т.е. задержка среза импульса не равнов. пос. зар., накопленных в базе и коллекторе транзистора.

Время задержки среза импульса можно существенно снизить, если предотвратить насыщение транзистора. Этого можно достигнуть путем использования в транзисторном ключе нелинейной обратной связи в виде ДШ(диода Шоттки), включенного гальванически между коллектором и базой.

Гальваническая связь диода Шоттки рассмотрим на пример конструктивной схемы транзистора. Алюминиевый проводник образует с p слоем Б оптический контакт, а с n слоем К потенциальный барьер, т.е. выпрямляющий контакт. При работе транзистора нормально-активном режиме потенциал К идет больше, поэтому диод Шоттки смещается в обратном направлении и не влияет на работу транзисторного ключа, когда в процессе формирования фронта импульса коллекторного тока потенциал коллектора падает и становится меньше потенциала базы, открывшейся коллекторный переход и диод Шоттки поскольку падение напряжения на прямосмещенном Диоде Шоттки существует меньше чем на коллекторном p-n переходе, большая часть базового тока будет проходить через открытый Диод Шоттки.

В открытом состоянии падение напряжения на диоде Шоттки составляет 0,3…0,4 В, поэтому с присоединением прямого напряжения диода Шоттки и коллекторного переходу, плотность тока в коллекторном переходе будет на три порядка меньше, чем плотность в Диоде Шоттки. При таком различии значений прямых токов в диоде Шоттки и коллекторном p-n переходе можно считать, что последний практически заперт. Это означает, что в транзисторе исключен режим двойной инжекции, следовательно будут сведены к минимуму процессы рассасывания избыточного заряда и задержки среза импульса.

Использование в транзисторе диода Шоттки привело к уменьшению времени выключения прибора до значений, не превышающих 0,1нС, в обычных транзисторах этот параметр достигает 10нС и более.