Биполярный транзистор в ключевых и аналоговых схемах.

В ключевом режиме биполярный транзистор работает в режиме насыщения (замкнутый ключ) или режиме отсечки (разомкнутый ключ). Полезно помнить, что в режиме насыщения оба перехода (коллектор-база и эмиттер-база) открыты, а в режиме отсечки - заперты. В режиме насыщения выходную цепь транзистора можно представить эквивалентным источником напряжения, величина ЭДС которого приводится в справочниках ( - напряжение насыщения). Строго говоря, следует учитывать также внутреннее сопротивление этого источника, величина которого определяется крутизной наклона линии граничного режима, однако, в большинстве практически важных случаев для инженерных расчетов можно ограничиться величиной - . Резисторы и должны обеспечивать надежное запирание транзистора при низком уровне управляющего сигнала во всем диапазоне рабочих температур и насыщение при высоком уровне управляющего сигнала.

Интегральный многоэмиттерный биполярный транзистор. Структура

Иногда применяются БТ с двумя и более эмиттерами при одной общей базе и общем коллекторе.Такие транзисторы называют м ногo э м и т т е р н ы м и .

Для уменьшения сопротивления коллекторной области в ней создают низкоомный скрытый слой -типа.

Полевые транзисторы. МДП - транзистор. Комплиментарные МОП - транзисторы. Полевой транзистор с управляющим р-п-переходом. Принцип действия, структура, характеристики, режим работы, параметры.

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током). Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе протекания электрического тока участвует только один вид носителей.

Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Все они имеют три электрода: исток (источник носителей тока), затвор (управляющий электрод) и сток (электрод, куда стекают носители).

Принцип работы транзисторов со структурой металл - диэлектрик — полупроводник (МДП) основан на модуляции сопротивления проводящего канала на поверхности полупроводника под воздействием эффекта поля. МДП-транзисторы со структурой металл- оксид - полупроводник в настоящее время являются основными элементами сверхбольших интегральных схем (СБИС). Они находят широкое применение также в мощных ключевых схемах. МДП-транзисторы являются униполярными приборами, работа которых основана на ис­пользовании только основных носителей заряда. Процессы инжекции в МДП-транзисторах не используются.

Основными параметрами МДП-структуры являются длина канала l, ширина канала b, толщина слоя диэлектрика t, глубина переходов n⁺-областей W_n и уровень легирования подложки N_A.

Управляющей цепью в МДП-транзисторах является цепь затвора, управляемой — цепь истока — стока. Управляющая цепь практиче­ски не потребляет тока, поскольку в нее входит участок с диэлектри­ком, поэтому в МДП-транзисторах получается значительное усиление мощности — намного больше, чем в биполярных транзисторах.

Электронные схемы, в которых используется сочетание п- и р-канальных транзисторов, называются комплементарными. МДП- транзисторы, у которых канал появляется только после приложения к затвору потенциала, большего порогового напряжения, называются транзисторами с индуцированным каналом.