русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Характеристики полевых транзисторов с p – n-переходом


Дата добавления: 2015-08-14; просмотров: 635; Нарушение авторских прав


Выходная характеристика показывает, что с увеличением UC-И ток стока IC сначала растет довольно быстро, а затем это нарастание замедляется, т. е. наступает насыщение. Именно в этой области насыщения, на пологих участках и происходит работа транзистора (рисунок 42).

 

IС, мA
IС, мA


UС-И=20В
– UЗ-И, В
UЗ-И = 0
а б
–5
UС-И = 30 В
UЗ-И = – 15 В
UЗ-И = – 10В
UЗ-И = – 5 В
UС-И, В

 

 

Рисунок 42 – Характеристики полевых транзисторов с p – n-переходом:

 

а – стоковые (или выходные): IС = f (UC-И) / UЗ-И = const;

б – стоково-затворные (или передаточные): IС = f (UЗ-И) / UC-И = const

 

Явление насыщения объясняется тем, что при повышении UC-И ток IC должен увеличиваться, но так как одновременно повышается обратное напряжение на p – n-переходе, то запирающий слой расширяется, а канал сужается, его сопротивление возрастает и IC должен уменьшаться, т. е. имеют место два взаимно противоположных воздействия на ток, который в результате остается почти постоянным.

При подаче большего отрицательного UЗ-И ток стока IC уменьшается и характеристика проходит ниже.

Дальнейшее повышение UC-И приводит к электрическому пробою
p – n-перехода, и IC начинает лавинно возрастать.

 

Параметры:

• Крутизна = const характеризует управление действия

затвора. Например, S = 3 мA/B означает, что изменение UЗ-И на 1 В создает изменение тока стока на 3 мA.

• Внутренне (выходное) сопротивление при UЗ-И = const , т. е. это сопротивление транзистора между стоком и истоком.

• Коэффициент усиления при IC = const показывает, во

сколько раз сильнее действует на IC изменение UЗ-И по сравнению с UC-И,
т. е. выражается отношением таких изменений напряжений, которые компенсируют друг друга по действию на IC. Для такой компенсации напряжения должны иметь разные знаки, отсюда знак «минус»; μ = S · Ri имеет значения от сотни до тысячи на пологом участке.



• Входные сопротивления при UС-И = const, так как IЗ является обратным током p – n-перехода, значит, он очень мал и Rвх приблизительно будет от единиц до десятков мегаом.

• Межэлектродные емкости:

- СЗ-И – входная емкость – это барьерная емкость p – n-перехода;

- СЗ-С – проходная емкость между затвором и стоком;

- СC-И – выходная емкость.

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Полевых транзисторов | МДП-транзисторы со встроенным каналом


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 1.029 сек.