Полевые транзисторы (рисунок 39) подразделяются на n-канальные и
р-канальные; каждый тип транзистора, в свою очередь, бывает с управляющим p – n-переходом и с изолированным затвором (МДП-транзисторы или МОП-транзисторы). МДП- МОП-транзисторы делятся на транзисторы со встроенным каналом и с индуцированным каналом.
ПТ
с n-каналом
с p-каналом
С управляющим p – n-переходом
С изолированным затвором (МДП, МОП)
Со встроенным каналом
С индуцированным каналом
с
с
с
с
с
с
з
з
з
з
з
з
и
и
и
и
и
и
Рисунок 39 – Классификация и условное обозначение полевых транзисторов
Полевые транзисторы с управляющим p – n-переходом
Конструкция.Рассмотрим n-канальный транзистор с управляющим p – n-переходом. Конструктивно такой транзистор представляет собой пластинку полупроводника n-типа с двумя p – n-переходами и тремя выводами (рисунок 40). Электрод, от которого начинают движение носители заряда, называется истоком (И), а электрод, к которому они движутся, – стоком (С).
Оба p-слоя электрически связаны между собой и имеют общий электрод, называемый затвором (З). Между p – n-переходами располагается канал, в данном случае n-типа. Управляющее (или входное) напряжение подается между З и И. UЗ-И является обратным для обоих p – n-переходов. В выходную цепь, в которую входит канал транзистора, подключается напряжение UC-И положительно полюсом к стоку.
Принцип работы сводится к тому, что при изменении UЗ-И изменяется ширина p – n-переходов, которые представляют собой участки полупроводника, обедненные носителями заряда. Так как p-слой имеет бóльшую концентрацию примесей, чем n-слой, то изменение ширины переходов происходит в основном за счет более высокоомного n-слоя (эффект модуляции ширины базы). Тем самым изменяются сечение токопроводящего канала и его проводимость, т. е. выходной ток IС (рисунок 41).
p
p – n-переход
И
n
UЗ-И
З
С
И
p
З
Канал
С
UС-И
Рисунок 41 – Принцип работы
полевого транзистора с p – n-переходом
UС-И
Рисунок 40 – Конструкция транзистора
с управляющим p – n-переходом
Особенностью полевого транзистора является то, что на проводимость канала оказывает влияние как управляющее напряжение UЗ-И, так и напряжение UC-И.
При UC-И > 0 через канал протекает IC, в результате чего создается падение напряжения, возрастающее в направлении стока. Потенциалы точек канала n-типа будут неодинаковы по его длине, возрастая в направлении стока от 0 до UC-И. Повышение UC-И вызывает дальнейшее увеличение падения напряжения в канале и уменьшение его сечения, т. е. проводимости. При некотором UС-И происходит смыкание границ p – n-переходов и сопротивление канала становится высоким.