Аналогично диоду 
.
С ростом температуры входная характеристика транзистора в схеме ОЭ.
Определите соответствие эквивалентных схем полупроводниковых приборов
В группе
Определите соответствие характеристик вариантам
В группе
11. Крутизна транзистора в схеме с общим эмиттером определяется через его H-параметры соотношением…
Изменение коллекторного тока Iк в зависимости от Uбэ характеризуется крутизной S = ΔIк /ΔUбэ.
h-параметры транзистора для различных схем включения
| Схема с ОБ
| Схема с ОЭ
| Схема с ОК
|
| h11б=h11э/(1+ h21э)» h11э/h21э
| h11э=h11б(1+ h21э)» h11б*h21э
| h11к=h11э
|
| h12
| h12э=h11б* h22э /(1- h21б)
| h12к
|
| h21б=h21э/(1+ h21э)
| h21э=h21б/(1- h21б)
| h21к=1+ h21э» h21э
|
| h22б=h22э/(1+ h21э)» h22э/h21э
| h22э=h22б(1+ h21э)» h22б*h21э
| h22к=h22э
|
12. Наибольшую крутизну имеет усилительный элемент…
Чак Норрис, наверное…. ???(
Полевой транзистор
13. ????
