Определите соответствие выходных характеристик электронным приборам

С ростом температуры концентрация неосновных носителей в полупроводнике ....

С повышением температуры полупроводника возрастает концентрация неосновных носителей и, следовательно, увеличивается сила тока в запорном направлении.

С ростом температуры подвижность носителей заряда в полупроводниках изменияется пропорционально температуре в степени...

Подвижность носителей заряда пропорциональна третьей степени тепловой скорости движения.

Высота потенциального барьера p-n перехода реального полупроводникового диода, к которому приложено прямое напряжение Uпр, течет ток J, равна....

Высота потенциального барьера на переходе равна контактной разности потенциалов qи_к.

4. Обратный ток реального полупроводникового диода состоит из…

I_обр = I₀ + I_тг + I_у.

При увеличении обратного напряжения ток диода не остается постоянным и равным току I₀.

Составляющая обратного тока через переход, зависящая от количества генерируемых в переходе носителей, называется током термогенерации (Iтг). С ростом обратного напряжения переход расширяется, количество генерируемых в нем носителей растет и ток Iтг также увеличивается.

Другой причиной увеличения обратного тока является конечная величина проводимости поверхности кристалла, из которого изготовлен диод. Этот ток называется током утечки (I_у). В современных диодах он всегда меньше термотока. Таким образом, обратный ток в диоде, обозначаемый I_обр, определяется как сумма токов:

Определите соответствие выходных характеристик электронным приборам

А - Выпрямительный германиевый

Д- Выпрямительный кремниевый

6. Определите сообщение выходных характеристик электронных приборам:

В группе