2. После прогрева генератора включить блок питания БП-1.
В н и м а н и е !
Напряжение блока питания БП-1 не должно превышать 24 в.
3. Включить осциллограф С1-68, прогреть и откалибровать его
усилитель вертикального отклонения (см. описание к С1-68).
4. Включить БП-2 и установить U = 18 в (не более!).
Порядок выполнения работы:
1) Снять зависимость мощности излучения (Ризл.) от мощности импульсов накачки (Рнак.), изменяя напряжение БП-1 от 0 до 24 в.
Мощность импульсов излучения измерять с помощью осциллографа.
Чувствительность фотодиода 0.38 вт/в.
График зависимости амплитуды импульсов тока накачки Jнак. от напряжения
БП-1 дан в приложении 2.
Рнак. = (К×Jнак.)2× R,
где К = 8 - коэффициент трансформации импульсного трансформатора излучателя ЛПИ-12А, R - внутреннее сопротивление диода.
Представить зависимость Ризл. от Рнак в виде графика.
Определить пороговую мощность накачки, пороговую плотность тока.
2) Снять спектральную характеристику полупроводникового ОКГ в режиме индуцированного излучения (UБП-1 = 18 в ).
Определить длину волны излучения и ширину спектра.
Градуировочный график монохроматора дан в приложении 3.
3) Снять индикатриссу излучения полупроводникового ОКГ в плоскостях перпендикулярной и параллельной плоскости p-n перехода для режимов спонтанного и индуцированного излучения.
Результаты представить в виде графика в полярных координатах.
Порядок выключения установки:
1. Установить выходное напряжение БП-2 равным нулю.
2. Выключить БП-2.
3. Выключить осциллограф.
4. Установить выходное напряжение БП-1 равным нулю.
5. Выключить БП-1.
6. Выключить генератор Г5-15.
П Р И Л О Ж Е Н И Е 1
Типичные параметры инжекционных лазерных диодов на GaAs