Классификация транзисторов

Методические указания

к выполнению лабораторной работы

«Исследование биполярного транзистора»

по дисциплине

«Общая электротехника и электроника»

Утверждено на заседании

кафедры ЭИКТ

от 4.03.2008 г. Пр. 6

Сызрань 2010

Составитель: П.П. Гавриш, А.Ю. Карсаков, О.В. Лысенко,

Ю.А. Мелешкин

УЛК 621. 375

ББК 32.85

Исследование биполярного транзистора: методические указания к лабораторному практикуму по «Общей электротехнике и электронике» / ГОУ ВПО сам ГТУ филиал в г. Сызрани, 2009.

Составлено в соответствии с рекомендациями РНПО «Росучприбор» Южно – Уральского государственного университета – разработчика и изготовителя стендов «Теория электрических цепей и основы электронике», а также для выполнения работы на стенде 17Д – 01.

Методические указания предназначены студентов высших учебных заведений, обучающимся по направлениям «Электротехника» и «Электроника».

Цель работы: изучение и исследование характеристик и параметров биполярного транзистора, включенного по схеме с общем эмиттером.

Сведения из теории

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ.

Классификация транзисторов

Транзистором называют электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности и имеющий три или более выводов.

Транзисторы классифицируются по следующим признакам:

по исходному материалу: германиевые, кремниевые и арсенид галлиевые;

по принципу действия: биполярные и униполярные или полевые. В биполярных транзисторах ток создается перемещением носителей двух знаков-электронов и дырок. В униполярных транзисторах ток создается носителями только одного знака – электронами, либо дырками;

по числу p-n переходов: однопереходные, двухпереходные и многопереходные. Наибольшее применение находят двухпереходные транзисторы с тремя выводами;

по способу преодоления участка базы: дрейфовые и бездрейфовые. В бездрейфовых транзисторах инжектированные в базу заряды преодолевают ее за счет диффузии, а в дрейфовых- под действием ускоряющего электрического поля;

по порядку чередования областей p-n переходов: p-n-p и n-p-n. Транзисторы p-n-p называют транзисторами прямой проводимости, n-p-n – обратной проводимости;

по величине допустимой мощности: маломощные (0,3 Вт), средней мощности (0,3-1,5 Вт), мощные (свыше 1,5 Вт);

по значению предельной частоты: низкочастотные (до 3 МГц), средней

частоты (3-30 МГц) и высокочастотные (свыше 30МГц);

по технологии изготовления: сплавные, микросплавные, диффузионные, планетарные и т.д.;

по типу используемого перехода: точечные и плоскостные. Точечные транзисторы обладают нестабильными параметрами, поэтому в настоящее время не применяются.