Система обозначений транзисторов.

Система обозначений транзисторов состоит из шести элементов.

Первый элемент обозначения – буква или цифра, определяющая исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор: Г или 1- германий или соединения германия, К или 2- кремний или соединения кремния.

Второй элемент обозначения- буква, определяющая подкласс прибора: Т- биполярный транзистор, П- полевой транзистор.

Третий элемент обозначения – цифра от 1 до 9, определяющая назначение транзистора в соответствии с таблицей 1

Таблица 1

Четвертый и пятый элементы определяют порядковый номер разработки технологического типа транзистора и обозначается от 01 до 99.

Шестой элемент определяет деление технологического типа на параметрические группы и обозначается буквами русского алфавита от А до Я.

Условные обозначения плоскостных биполярных транзисторов, разработанных

в 1964 г. и выпускаемых сейчас, состоят из двух или трех элементов.

Первый элемент обозначения – П.

Второй элемент обозначения – число (номер), указывающее на область применения транзистора в соответствии с таблицей 2

Таблица 2

Третий элемент обозначения – буква, указывающая разновидность транзистора.

Примеры обозначения транзисторов:

ГТ605А – германиевый биполярный транзистор средней мощности, предназначенный

для устройств широкого применения, высокой частоты, номер разработки

05, группа А.

2Т144А - кремниевый биполярный транзистор малой мощности, предназначенный для

устройств специального назначения, низкой частоты, номер разработки 44, группа А.