Для устранения нелинейных искажений в схеме сдвига уровня напряжения вводится раздельное смещение на базы транзисторов (см. рисунок 2.7). На додах VD1 и VD2 создается падение напряжения U*, которое смещает рабочую точку транзистора VТ1 влево и VT2 – вправо от начала координат (см. рисунок 2.8). Характеристика передачи будет представлять прямую линию. Следовательно, уменьшатся нелинейные искажения. Эти диоды всегда открыты, так как суммарное напряжение источников питания
всегда больше, чем входной сигнал.

Рассмотрим разновидность бестрансформаторного усилителя мощности с делителем напряжения в базовой цепи (см.рисунок 2.9). Такая схема еще называется схемой с дополнительной симметрией. Здесь R1, R2, R3 ‑ делитель напряжения для создания смещения в классе АВ.
Должно выполняться условие
.
Очевидно, что средняя точка R2 имеет нулевой потенциал. Базы обоих транзисторов можно считать закороченными по переменному току и подавать входное напряжение на одну из баз. Так как сигнал подается в одной фазе на оба транзистора, то они работают поочередно. Вместо R2 обычно ставят диоды. На каждом диоде падает U*= 0,7 В, которое создает смещение, обеспечивающее режим класса АВ.
Схема включения транзисторов – с общим коллектором.