Полевые транзисторы с изолированным затвором отличаются тем, что затвор выполнен в виде слоя металла, отделённого от полупроводникового канала тонким изолирующим слоем оксида кремния. Поэтому их называют МОП-транзисторами (металл – окисид - полупроводник). Канал между истоком и стоком МОП-транзистора можем быть встроенным, т.е. специально изготовленным или наведённым. В первом случае характеристики МОП-транзистора аналогичны характеристикам транзистора с p-n переходом, но отличаются возможностью работы с прямым смещением затвора (в режиме обогащения). На рис. 2.9.1 показаны структура, условное обозначение и характеристики транзистора с встроенным каналом типа n.
Рис. 2.9.1
Структура, условное обозначение и стоко-затворная характеристика МОП-транзистора с индуцировнным каналом типа n показана на рис. 2.9.2. В подложке типа р изготовлены только небольшие области противоположного типа проводимости. При подаче на затвор положительного напряжения относительно истока к затвору будут притягиваться электроны, в то время как дырки от него будут оттесняться. При некотором напряжении, называемым пороговым (UЗИпор) под затвором образуется n-слой, перемыкающий n-области под истоком и стоком. Вся стоко-затворная характеристика лежит в области обогащения.
В МОП транзисторе с индуцированным каналом типа рструктура симметрична, и аналогичные процессы протекают при отрицательном напряжении на затворе.
Рис. 2.9.2
