русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Порядок выполнения экспериментов


Дата добавления: 2014-11-27; просмотров: 990; Нарушение авторских прав


 

· Переключите мультиметр в режим тестирования диодов и измерьте падение напряжения на p-n переходах транзисторов по первым четырём схемам, приведённым в табл. 2.8.

Примечание: в режиме тестирования диодов мультиметр измеряет падение напряжения на открытом p-n переходе при определённом токе (примерно 1 мА), создаваемом самим прибором. В обратном направлении он показывает обрыв цепи (1 в старшем разряде).

· Переключите мультиметр в режим измерения сопротивлений и измерьте сопротивление «сток – исток» при UЗИ = 0 по двум последним схемам табл. 2.8.1.

 

Таблица 2.8.1

 

 

· Соберите цепь для снятия характеристик транзистора (рис. 2.8.2). Диод включен в схему для предотвращения подачи отрицательного напряжения на транзистор при снятии выходных характеристик, а между точками А и В включена перемычка, удалив которую можно включить в цепь стока сопротивление нагрузки.

Рис.2.8.2

 

· Включите блок генераторов напряжений и мультиметры. Регулируя напряжение на затворе потенциометром, определите начальный ток стока и напряжение отсечки.

 

Iнач = ……………мА; Uотс = ………….В.

 

· Изменяя напряжение на затворе потенциометром от нуля до напряжения отсечки, снимите стоко-затворную характеристику (табл.2.8.2).

Таблица 2.8.2

 

UЗИ, В -1 -2 -3 -3.5    
IC, мА              

 

· Постройте график стоко-затворной характеристики (рис.2.8.3) и определите крутизну:

;

 

 

Рис. 2.8.3

 

· Для снятия выходных характеристик транзистора переключите питание на регулируемый источник постоянного напряжения -13…+13 В, как показано на схеме пунктиром, установите напряжение на затворе равным нулю и переключите вольтметр для измерения напряжения UСИ.



· Регулируя напряжение питания от 0 до максимального значения (13…14 .В), снимите зависимость IС(UСИ) при UЗИ = 0 (табл. 2.8.3).

Таблица 2.8.3

 

UСИ, В 0,5 1,5  
IС мА при UЗИ=0 В                      
при UЗИ=-1 В                      
при UЗИ=-2 В                      
при UЗИ=-3 В                      

· Переключите снова вольтметр для измерения напряжения UЗИ, установите потенциометром UЗИ = -1 В, переключите вольтметр обратно для измерения напряжения UСИ и снимите зависимость (UСИ) при UЗИ = -1 В.

· Аналогично снимите выходные характеристики при других значениях UЗИ.

· На рис. 2.8.3 постройте графики выходных характеристик.

· Для исследования влияния нагрузочного сопротивления на крутизну стоко-затворной характеристики и коэффициент усиления напряжения вновь переключите питание на нерегулируемый источник +15В, удалите из схемы перемычку и включайте вместо неё различные сопротивления нагрузки, указанные в табл. 2.8.4.

· При каждом сопротивлении записывайте в табл. значения IС и UСИ при двух значениях напряжения на затворе.

· Вычислите по этим значениям коэффициенты усиления напряжения и крутизну затворно-стоковой характеристики. На рис 2.8.4 постройте графики и проанализируйте их.

Таблица 2.8.4

 

RН, кОм 2,2 4,7
UЗИ, В -1 -1,5 -1,5 -2 -2 -2,5 -2,5 -3  
UСИ, В                  
IС, мА                  
DUЗИ, В          
DUСИ, В          
DIС, мА          
kU= DUСИ/ DUЗИ          
S= DIС/ DUЗИ, В          

 

Рис. 2.8.4

Контрольные вопросы

  1. Что такое зона насыщения и зона линейного изменения сопротивления?
  2. Почему коэффициент усиления по напряжению увеличивается при увеличении сопротивления нагрузки?
  3. Как можно построить стоко-затворную характеристику по семейству внешних характеристик при RН = 0 и при RН ≠ 0?



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Общие сведения | Общие сведения


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.047 сек.