Порядок выполнения экспериментов

· Соберите цепь для снятия характеристик транзистора (рис. 2.9.3). Диод Д226 включен в схему для предотвращения подачи отрицательного напряжения на транзистор при снятии выходных характеристик. Диод, показанный внутри микросхемы IRFD024 является паразитным элементом, обусловленным конструкцией p-n переходов в транзисторах подобного типа..

Рис. 2.9.3

· Включите блок генераторов напряжений и мультиметры. Регулируя напряжение на затворе потенциометром, определите пороговое напряжение, при котором появляется ток стока.

U_ЗИпор = ………….В.

· Устанавливая потенциометром напаряжения на затворе, указанные в табл. 2.9.1, снимите стоко-затворную характеристику.

Таблица 2.9.1

· Постройте график стоко-затворной характеристики (рис.2.9.4) и определите крутизну:

;

· Для снятия выходных характеристик транзистора переключите питание на регулируемый источник постоянного напряжения -13…+13 В, как показано на схеме пунктиром, установите напряжение на затворе равным 3,9 В и переключите вольтметр для измерения напряжения U_СИ.

· Регулируя напряжение питания от 0 до максимального значения (13…14 .В), снимите зависимость I_С(U_СИ) при U_ЗИ = 3,9 В (табл. 2.9.2).

Таблица 2.9.2

· Переключите снова вольтметр для измерения напряжения U_ЗИ, установите потенциометром U_ЗИ = 4 В, переключите вольтметр обратно для измерения напряжения U_СИ и снимите зависимость (U_СИ) при U_ЗИ = 4 В.

· Аналогично снимите выходные характеристики при других значениях U_ЗИ.

· На рис. 2.9.4 постройте графики выходных характеристик.

· Установите такое напряжение на затворе, при увеличении которого ток стока не изменяется (полностью открытое состояние транзистора) и определите сопротивление:

R_СИоткр= U_СИ/ I_С = …………..Ом.

· Установите на затворе напряжение равным нулю и определите сопротивление транзистора в закрытом состоянии:

R_СИоткр= U_СИ/ I_С = …………..Ом.

Примечание: В последнем опыте ток весьма мал, поэтому для его измерения необходимо отключить вольтметр и переключить прибор на минимальный предел измерения тока.

Рис. 2.9.4