Простейший базовый элемент ТТЛ выполняет логическую операцию И-НЕ. Простейшая ТТЛ-схема обеспечивает более высокое быстродействие, невысокую нагрузочную способность и сравнительно низкую помехоустойчивость.
Основная особенность схем ТТЛ заключается в том, что во входной цепи используется многоэмиттерный транзистор. Эмиттеры расположены таким образом, что прямое взаимодействие между ними исключается. Благодаря этому эмиттерные переходы можно рассматривать как параллельно включенные диоды. Число эмиттеров определяет число входов элемента. Инвертор реализован на транзисторе VT2. Многоэмиттерные транзисторы используют только в интегральных схемах. Недостатком простейшей схемы ТТЛ-элемента является его неэкономичность. Когда транзистор VT2 находится в режиме насыщения, его коллекторный ток велик, что приводит к увеличению потребляемой мощности. Для уменьшения тока коллектора можно увеличить сопротивление резистора 2R. Однако это приведет к снижению уровня логической единицы и уменьшению нагрузочной способности схемы. Кроме того, увеличится время переключения схемы в состояние логической единицы. Использование схемы со сложным инвертором что позволяет увеличить быстродействие и энергопотребление, снизить потребляемую мощность и усовершенствовать технологию изготовления микросхемы.
Имеется большое количество модификаций ТТЛ-схем со сложным инвертором. Среди них особое место занимают схемы с тремя состояниями. В простейшем случае третье состояние входа обеспечивается включением в схему Т0. При подаче на отключающий вход х низкого потенциала триод Т0 закрыт и схема работает в обычном режиме. Если на вход х подан высокий потенциал, то на базах Т1 и Т3 устанавливается низкое напряжение. Эти триоды закрыты и схема отключена от нагрузки при любых комбинациях входных сигналов.
Во всех элементах ТТЛ при отрицательном входном напряжении резко увеличивается входной ток. Для ограничения отрицательных входных напряжений эмиттеры VT1 соединяют с корпусом через диоды, запертые для входных сигналов положительной полярности. Диоды отпираются только при действии отрицательных импульсов, возникающих при наличии помех. Заметно увеличить быстродействие удается в ТТЛ-схемах с диодами Шоттки (ТТЛШ). В таких схемах диоды Шоттки включаются параллельно коллекторным переходам. Это позволяет исключить насыщение транзисторов и существенно, уменьшить время переключения. Быстродействие элементов ТТЛШ в 3–5 раз выше, чем у аналогичных элементов ТТЛ. Недостатком ТТЛШ является меньшая помехоустойчивость из-за меньшего размаха выходного напряжения.