С управляющим p-n-переходом

Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом приведено на рис. 31, а.В таком транзисторе затвор выполнен в виде обратно смещенного p-n-перехода. Изменение обратного напряжения на затворе позволяет регулировать ток в канале. На рис. 31, апоказан по­левой транзистор с каналом p-типа и затвором, выполненным в виде об­ластей n-типа. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к снижению проводимости канала, поэтому полевые транзисторы с управ­ляющим р-n-переходом работают только на обеднение канала носителями зарядов. Условное графическое обозначение полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом приведено на рис. 31, б.

Рис. 31. Устройство полевого транзистора с управляющим

р-n-переходом.

Поскольку ПТУП могут работать только с обеднением канала, то на­личие встроенного канала показано на этом изображении сплошной лини­ей, которая имеет контакты с электродами стока и истока. Направление стрелки на выводе затвора указывает тип проводимости канала.

Входное сопротивление полевых транзисторов составляет десятки – сотни МОм. При этом входной ток очень мал и практически не зависит от напряжения U_з.и.между затвором и истоком, поэтому для полевых транзи­сторов входная характеристика, т.е. зависимость I_з. от U_з.и. при фиксиро­ванном значении U_с.и.,практического значения не имеет и при расчетах используют только передаточные и выходные вольтамперные характери­стики (ВАХ).

Типовые передаточные характеристики n-канальных полевых транзисторов приведены на рис. 32. Как видно, ток стока для n-канальных транзисторов имеет положительный знак, что соответствует положитель­ному напряжению на стоке.

Рис. 32. Типовые передаточные характеристики n-каналъных

полевых транзисторов.

ПТУП при нулевом напряжении на затворе имеют максимальное значение тока стока, которое называется начальным I_С.НАЧ . При увеличе­нии запирающего напряжения ток стока уменьшается и при напряжении отсечки U_OTC становится близким к нулю.

Характеристики ПТИЗ с индуцированным каналом таковы, что при нулевом напряжении на затворе ток стока транзистора равен нулю. Появ­ление тока стока в таких транзисторах происходит при напряжении на за­творе больше порогового значения U_ПОР. Увеличение напряжения на за­творе приводит к увеличению тока стока.

Характеристики ПТИЗ со встроенным каналом при нулевом напря­жении на затворе имеют начальное значение тока I_С.НАЧ. Такие транзисто­ры могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения. При увеличении напряжения на затворе канал обогащается и ток стока растет, а при уменьшении напряжения на затворе канал обедняется, и ток стока снижается.

Для полевых транзисторов с p-каналом передаточные характеристи­ки имеют такой же вид, только располагаются в нижней половине графика. Ток стока и напряжение на стоке у таких транзисторов имеют отрицатель­ное значение.

Типовые выходные характеристики полевых транзисторов с изо­лированным затвором и индуцированным каналом приведены на рис. 33. Выходные характеристики других типов полевых транзисторов имеют ана­логичный вид.

Рис. 33. Выходные характеристики ПТИЗ со встроенным каналом: I- линейная область, II- область насыщения, III- область пробоя, пунктирные линии А и В - границы между областями

На ВАХ полевого транзистора можно выделить три характерные об­ласти: линейную, насыщения и пробоя. В линейной области при малых значениях U_с.и.вольтамперные характеристики представляют собой пря­мые линии, наклон которых зависит от напряжения на затворе. В области насыщения ВАХ идут практически горизонтально, что позволяет говорить о независимости тока стока I_с.от напряжения на стоке U_с.и.В области про­боя транзистор становится неуправляемым - это аварийный режим.

Особенности характеристик в первых двух областях обуславливают применение полевых транзисторов. В линейной области полевой транзи­стор используется как сопротивление, управляемое напряжением на затво­ре, а в области насыщения - как усилительный элемент.

Линейная область. В линейной области ток стока полевого транзи­стора определяется уравнением:

где b - постоянный коэффициент, называемый удельной крутизной, U_пор.— пороговое напряжение , U_з.и.- напряжение между затвором и исто­ком, U_с.и.- напряжение между стоком и истоком.

Удельная крутизна полевого транзистора равна:

где μ_n- подвижность электронов в кремнии; W - ширина канала; L - дли­на канала; С_d - удельная емкость между затвором и каналом.

На начальном участке линейной области, учитывая малую величину напряжения на стоке (U_с.и. 0), можно воспользоваться упрощенным вы­ражением:

.

Это выражение позволяет определить сопротивление канала в ли­нейной области:

.

Из выражения следует, что если напряжение на затворе стре­мится к пороговому значению U_з.и. U_пор. , то сопротивление канала воз­растает до бесконечности: R_K. . График зависимости сопротивления ка­нала от напряжения на затворе приведен на рис. 34.

Основное применение полевых транзисторов в линейной области оп­ределяется их способностью изменять сопротивление при изменении на­пряжения на затворе. Это сопротивление для мощных полевых транзисторов с изолированным затвором достигает долей Ома (0,5...2,0 Ом), что по­зволяет использовать их в качестве замкнутого ключа с весьма малым соб­ственным сопротивлением канала. С другой стороны, если напряжение на затворе сделать равным пороговому значению (или меньше его), то сопро­тивление канала транзистора увеличивается, что соответствует разомкну­тому ключу с весьма малой собственной проводимостью. Таким образом, полевой транзистор можно использовать как ключ, управляемый напряже­нием на затворе.

Рис. 34. Зависимость сопротивления канала полевого транзистора от напряжения на затворе.

Область насыщения. В этой области ВАХ идут практически гори­зонтально, т.е. dI_c./ dU_с.= 0.Продифференцировав выражение для I_с. по U_с.и приравняв к нулю можно найти значение напряжения насыщения:

Тогда выражение для тока стока полевого транзистора в области насыщения:

,

из которого следует его независимость от напряжения на стоке U_с.и.. Прак­тически такая зависимость есть, но в большинстве случаев она слабо вы­ражена.

Полевые транзисторы, в области насыщения используются в основ­ном как усилительные приборы и их усилительные свойства определяются крутизной вольтамперной характеристики:

.

Из этого уравнения следует, что крутизна линейно зависит от эффек­тивного напряжения на затворе (U_з.и. – U_пор.). Параметр b называется удельной крутизной, потому что при (U_з.и. – U_пор.) = 1 величина b равна кру­тизне транзистора в режиме насыщения.

Крутизна МОП транзистора однозначно связана с протекающим че­рез канал током:

.