С изолированным затвором

Устройство полевого транзистора с изолированным затвором (ПТИЗ) показано на рис. 29.

Рис. 29. Устройство полевого транзистора

с изолированным затвором.

В этих приборах электрод затвора изолирован от полупроводниково­го канала с помощью слоя диэлектрика из двуокиси кремния SiO₂. Поэто­му полевой транзистор с такой структурой называют МОП-транзистором (металл-окисел-полупроводник). Электроды стока и истока располагаются по обе стороны затвора и имеют контакт с полупроводниковым каналом. Ток утечки затвора пренебрежимо мал даже при повышенных температуpax. Полупроводниковый канал может быть обеднен носителями зарядов или обогащен ими. При обеденном канале электрическое поле затвора по­вышает его проводимость, поэтому канал называется индуцированным.Ес­ли канал обогащен носителями зарядов, то он называется встроенным. Электрическое поле затвора в этом, случае приводит к обеднению канала носителями зарядов.

Проводимость канала может быть электронной или дырочной. Если канал имеет электронную проводимость, то он называется n-каналом. Ка­налы с дырочной проводимостью называются p-каналами. В результате полевые транзисторы с изолированным затвором могут быть четырех ти­пов: с каналом п- или p-типов, каждый из которых может иметь индуциро­ванный или встроенный канал.

Условные изображения этих типов транзисторов приведены на рис. 30. Графическое обозначение транзисторов содержит информацию о его устройстве. Штриховая линия обозначает индуцированный канал, а сплошная - встроенный. Подложка (П) изображается как электрод со стрелкой, направление которой указывает тип проводимости канала. Если корпус транзистора выполнен из металла, то подложка имеет с ним элек­трический контакт. На электрических схемах подложка обычно соединяет­ся с общим проводом. Затвор изображается вертикальной линией, парал­лельной каналу. Вывод затвора смещен к электроду истока.

Рис. 30. Условное графическое изображение полевых транзисторов с изолированным затвором.