русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Описание исследуемой схемы


Дата добавления: 2014-11-27; просмотров: 651; Нарушение авторских прав


В лабораторную установку входят: универсальный лабораторный стенд «ИМПУЛЬС - М», генератор импульсов Г5-54 и осциллограф С1-55.

Исследуемый электронный переключатель напряжения собран на транзисторе VТ1 n-р-n типа ВС 846В (рис. 1.2), включенном по схеме с общим эмиттером.

В отсутствие входного импульса от генератора Г1 (U1 = 0 В ) транзистор заперт, так как Uэб меньше Uпор . На коллекторе транзистора VТ1 устанавливается высокий потенциал U1 2 = Ek ≈ +5В. При подаче на вход ключа от генератора Г1 положительного импульса, амплитуда которого превышает пороговое напряжение ключа, транзистор переходит в активный режим, а затем в режим насыщения. На его коллекторе (выходе ключа) устанавливается низкий потенциал U0 2 =Uкн ≈ 0 . Переходные процессы отпирания и запирания транзистора зависят от параметров входного сигнала, параметров и схемной реализации электронного ключа. Исследуемая схема позволяет определить влияние коллекторного сопротивления Rк = R6 или Rк = R6 ||R7 на статические и динамические параметры электронного ключа, емкости нагрузки С2 на динамические параметры, емкости ускоряющего конденсатора С1 и нелинейной обратной связи через диод VD1 на характер переходных процессов в транзисторном ключе. В ходе исследования переходных процессов переключения транзистора VT1 возникает необходимость определения диаграммы изменения во времени тока базы транзистора. Для этой цели в базу транзистора VT1 включен низкоомный резистор R4, напряжение на котором может быть проконтролировано в контрольных точках КТ2 и КТЗ лабораторного стенда.

 

 

Рисунок 1.2

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ | Рабочее задание


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.073 сек.