Рабочее задание

1. Установить лабораторный стенд «ИМПУЛЬС - М» в режим «ЛАБ 1» с помощью переключателя лабораторных работ, который находится на задней панели стенда.

2. Включить кнопку СЕТЬ.

3. Снять и построить передаточную характеристику U₂ = f (U₁) и по ней определить статические параметры ключа U⁰ _1max, U¹ _1min, U⁰ ₂, U¹ ₂ при отключенных диоде VD1, конденсаторе C1 и сопротивлении R7 .

Для этого на вход ключа необходимо подать положительный прямоугольный импульс длительностью t_вх = 100 мкс и частотой 1 кГц и изменяя его амплитуду U₁ определять амплитуду сигнала на выходе U₂. Значение U⁰_1max соответствует наибольшей амплитуде входного сигнала, при которой VT1 остается запертым, значение U¹_1min — наименьшей амплитуде входного сигнала, обеспечивающего насыщение транзистора VT1.

4. Повторить п.1 при подключенном диоде VD1 (нажать П1)

5. Повторить п.1 при подключенном конденсаторе С1 (нажать П2).

6. Повторить п.1 при подключенном резисторе R7 (нажать П4). Результаты измерений по пп. 2–5 свести в таблицу 1.1.

Таблица 1.1

7. Определить переходную характеристику U₂ (t) транзисторного ключа при его включении и выключении. При этом VD1, С1, R7, С2 – отключены. На вход ключа подать прямоугольный положительный импульс с амплитудой U¹₁ = 5 В, длительностью tвх = 40 мкс и частотой 10 кГц. При этом использовать внешнюю синхронизацию осциллографа от генератора прямоугольных импульсов. Зарисовать с учетом масштабов диаграммы входного U1(t) и выходного U2(t) импульсов. С помощью осциллографа определить динамические параметры ключа t⁰¹зд.р., t¹⁰зд.р., t⁰¹ф, t⁰¹ф (При этом использовать на осциллографе временной масштаб, при котором можно наиболее точно определить параметры).

8. Повторить п.5 при подключенном диоде VD1 (нажат П1).

9. Повторить п.5 при подключенном конденсаторе С1 (нажат П2).

10. Повторить п.5 при подключенном конденсаторе С2 (нажат П3).

11. Повторить п.5 при подключенном резисторе R7 (нажат П4).

Примечание: Диаграммы выходного напряжения по пп. 6-11 построить на общем графике, динамические параметры ключа по пп. 6-11 свести в таблицу 1. 2.

Таблица 1.2

Выводы

Контрольные вопросы

1. Что такое коэффициент насыщения и как он зависит от параметров компонентов исследуемой схемы?

2. Объясните влияние нелинейной обратной связи на переходные процессы в ключе.

3. Объясните влияние ускоряющего конденсатора на переходные процессы в ключе.

4. Из каких соображений выбирается оптимальное значение емкости ускоряющего конденсатора?

5. Объясните влияние температуры окружающей среды на пороговое напряжение ключа и коэффициент насыщения транзистора.

6. Объясните влияние емкости нагрузки на динамические параметры ключа.