Расчет делителя в цепи базы.

Рассчитаем сопротивления делителя R_Б1,R_Б2 в цепи базы.

Чем больше будет сквозной ток делителя I_Д = E/(R_Б1 + R_Б2), тем стабильнее будет режим работы при замене транзистора и изменении температуры окружающей среды, но тем больше будет ток, потребляемый каскадом от источника питания, поэтому сквозной ток делителя выбирают из компромиссных соображений. На практике сквозной ток делителя выбирают из условия I_Д = (3÷10) I_{Б рт}.

I_Д = 0.4 * 10^-3 А

Полагая, что

U_Rэ = I_{Э рт}R_Э = (I_{К рт} + I_{Б рт}) R_Э.

U_Rэ = 0.832 В

Рассчитаем сопротивление резистора R_Б2

Согласно закону Ома, сопротивление резистора

R_Б2 = 3.704 * 10³ Ом

Выберем стандартное значение сопротивления R_Б2 по ряду Е24 и пересчитаем ток делителя:

I_Д^* = 0.4116 * 10^-3 А

Рассчитаем сопротивление резистора R_Б1:

R_Б1 = 1.536 * 10⁴ Ом

Выберем ближайшее стандартное значение сопротивления R_Б1 по ряду Е24.

R_Б1 = 1.5 кОм

6. Определение h-параметров транзистора
по статическим характеристикам.

По статическим характеристикам транзистора можно определить три из четырех h-параметров: входное сопротивление h_11Э, статический коэффициент передачи тока базы транзистора h_21Э и выходную проводимость h_22Э.

Входное сопротивление h_11Э = ΔU_БЭ / ΔI_Б при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (U_КЭ = const) определяют по входным характеристикам транзистора. Для этого зададим приращение напряжения база-эмиттер ΔU_БЭ симметрично относительно рабочей точки и определите соответствующее приращение тока базы ΔI_Б.

h_11э = 1.149 Ом

Статический коэффициент передачи тока базы транзистора h_21Э = ΔI_К / ΔI_Б при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (U_КЭ = const) определяют по выходным характеристикам транзистора. Для нахождения параметра h_21Э необходимо задать приращение тока базы ΔI_Б и определить соответствующее приращение тока коллектора ΔI_К.

ΔI_К = 2*10^-3 А

ΔI_Б = 50*10^-3 А

h_21Э = 40

Выходную проводимость h_22Э = ΔI_К / ΔU_КЭ в режиме холостого хода на входе транзистора (I_Б = const) определяют также как и параметр h_21Э по выходным характеристикам транзистора. Для нахождения параметра h_22Э необходимо задать приращение напряжения коллектор-эмиттер ΔU_КЭ и определить соответствующее приращение тока коллектора ΔI_К. Условию I_Б = const будут отвечать точки, лежащие на выходной характеристике, проходящей через рабочую точку транзистора. Поскольку выходные характеристики линейны в широком диапазоне напряжений, то приращение ΔU_КЭ может быть достаточно большим, при этом его симметричность относительно рабочей точки не имеет значения.

ΔU_КЭ = 4 В

ΔI_К = 0.1*10^-3 А

h_22Э = 2.5*10^-5 См

Четвертый параметр – коэффициент обратной связи по напряжению h_12Э по приводимым в справочниках статическим характеристикам определить невозможно. У маломощных транзисторов коэффициент обратной связи по напряжению h_12Э = (1÷10) 10^–4.

h_12Э = 5*10^-4