Расчет параметров элементов схемы замещения транзистора.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база U_КБ = U_{КБ рт} :

,

где – емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база U_КБ = . Значения и возьмите из справочника, причем значение – из той же строки справочника, что и (колонка «Режимы измерения»).

Напряжение коллектор-база в рабочей точке U_{КБ рт} рассчитайте по формуле:

U_{КБ рт} = E – I_{К рт}R_К – (I_{К рт} +I_{Б рт})R_Э – U_{БЭ РТ}

U*_КБ = 20 В

С*_К = 10*10^-9 Ф

С_К = 2.351*10^-8 Ф

Выходное сопротивление транзистора

Сопротивление коллекторного перехода транзистора

Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока эмиттера

[Ом]

I_{э рт} = I_{к рт} + I_{б рт} = 3*10^-3 + 8*10^-5 = 3.08*10^-3 А

Сопротивление эмиттерного перехода транзистора для тока базы

Сопротивление базы транзистора

,

где τК – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Диффузионная емкость эмиттерного перехода

,

где fгр – граничная частота коэффициента передачи тока – частота, на которой модуль коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером |h21Э| = 1 (для граничной частоты часто используется международное обозначение fт).

Граничная частота fгр или приводится в справочнике или рассчитывается по формуле

fгр = |h21Э| fизм,

h21Э = 1

fизм = 20*10⁶ Гц

где fизм – частота, на которой измерен модуль коэффициента передачи тока базы |h21Э|.

fгр = 20*10⁶ Гц

Крутизна транзистора