Линия нагрузки по постоянному току.

Суммируя напряжение вокруг коллектора (рис 2.9), получим:

U_кэ-E_п+(I_к+I_б)R_к=0. (2.10)

Так как I_э«I_к получим:

Iк≈ . (2.11)

Из уравнения следует, что линия нагрузки пересекает ось в точке Е_п⁺/R_к и ось абсцисс – Е_п⁺.

Влияние В.

Суммируя напряжение вокруг базы, получим U_кэ-E_п+(I_к+I_б)∙R_к+I_б∙R_ос=0 или U_бэ-Е_п+I_кR_к+I_вR_ос≈0. Поскольку I_б=I_к/B,получим

Iк= = (2.12)

т.е. схема остается чувствительной к изменению B.

Основное преимущество цепи смещения с коллекторной обратной связью заключается в том, что транзистор работает только в активной области, т.е. транзистор не может находится в состоянии насыщения.

Поскольку I_б«I_к, то схему на рис.2.9 можно последовательно преобразовать в схему на рис.2.9.б , т.е. транзистор работает как бы в диодном режиме.

рис 2.9б цепь смещения с коллекторной обратной связью, последовательно преобразованная так, что транзистор работает как бы в диодном режиме.