Исходные данные

Кремневые планарные n-p-n-транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний на частотах до 60 МГц.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,5 г.

Максимально допустимые параметры

(гарантируются при температуре окружающей среды Т_С = -55…+85^о С):

Постоянный ток коллектора: I_{К max} = 10 мА

Постоянный ток эмиттера: I_{э max} = 10 мА

Постоянное напряжение эмиттер – база: U_{эБ max}=3 В

Постоянное напряжение коллектор – база: U _{Кб max}=20 В

Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при к.з. между Э и Б: U_{кэк max}=20 В

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: p_{к max}=150 мВт

Температура перехода: Т_{П max}=120^о С

Тепловое сопротивление переход-корпус: R_{г. п-к}=0,6 ^оС/мВт

Допустимая температура окружающей среды: -55≤Т_max ≤+85, ^оС

Классификационные параметры транзистора представлены в таблице 1.

Таблица 1 – Классификационные параметры транзистора КТ301Е.

Наименование	Обозначение	Значения	Режимы измерения
Min	Мах	Uк,В	Uэ,В	Iк, мА	Iэ, мА	f, МГц
Обратный ток коллектора, мкА	IКБО
Обратный ток эмиттера, мкА (при Uэ=Uэб max)	IЭБО
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UКЭ нас
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UБЭ нас		2,5
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	∣h21Э∣		1,5				1,5
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	h21Э
Емкость коллекторного перехода, пФ
Максимальная частота генерации, МГц	Imax

Входные и выходные характеристики:

Рисунок 2 - Семейства входных и выходных характеристики транзистора