русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Охлаждение печи и медленная выгрузка пластин.


Дата добавления: 2014-04-10; просмотров: 827; Нарушение авторских прав


Температура в рабочей зоне поддерживается с точностью 0,5°С.

Процесс проводят способом открытой трубы (при атмосферном давлении).

Время процесса определяется толщиной слоя SiO2

Предварительный нагрев печи и медленная загрузка и выгрузка пластин уменьшают градиент температуры по радиусу пластин, т.е. уменьшают термические напряжения, приводящие к изгибу пластин.

Основные недостатки термического окисления:

1. высокая температура процесса, которая может привести к изгибу пластин; к
появлению дефектов; к перераспределению примесей, введенных в пластину на
предыдущих операциях;

2.невысокие скорости роста пленок.

Значительно уменьшить температуру или время процесса позволяет термическое окисление при повышенном давлении.Это объясняется увеличением концентрации окислителя и соответственным возрастанием скорости окисления кремния. Основной недостаток этого метода - сложность создания герметичных и прочных камер.

Осаждение пленок SiO2.

Осаждение пленок SiO2 отличается от термического окисления меньшими температурами подложек в процессе роста пленок и возможностью получать пленки не только на кремнии, но и на любых других подложках.

Пиролитическое осаждение SiO2используют на заключительных стадиях изготовления ИМС, когда применение термического окисления может привести к изменениям параметров уже созданных областей ИМС.

При пиролитическом осаждении SiO2 происходит термическое разложение сложных соединений кремния с выделением SiO2. Наиболее часто используют тетраэтоксисилан Si(OC2H5)4.

В зоне подложек идет реакция:

Окисел кремния осаждается на пластинах, остальные продукты реакции уносятся газовым потоком из трубы.

Этим методом можно получать однородные, хорошо воспроизводящие рельеф пленки, но нельзя получать пленки на структурах с металлизацией из-за высоких температур процесса.



Окисление моносилана идет при более низких температурах 300° - 400°С :

Низкие температуры позволяют применять процесс для получения пленок SiО2 на алюминиевой металлизации. Чтобы получить более плоскую, сглаженную поверхность пленки на слое алюминия, имеющем ступеньки, SiО2 в процессе осаждения легируют 8 - 9 % - ми оксида фосфора. Для этого в газовую смесь добавляют газ фосфин, который, взаимодействуя с кислородом, образует легирующий окисел:

В результате получают пленку фосфорно-силикатного стекла (ФСС): n SiO2 x m P2O5.

Наличие фосфора в пленке SiO2 повышает ее термомеханическую прочность, пластичность и снижает пористость.

Фосфорно-силикатные стекла:

Могут служить источниками легирующих примесей;

2. имеют хорошие пассивирующие свойства, предохраняя поверхность пластин от
проникновения щелочных металлов ( Na, К );



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Удаление продуктов реакций. | Отличаясь пластичностью, могут сглаживать углы ступенек металлизации.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.025 сек.