Отличаясь пластичностью, могут сглаживать углы ступенек металлизации.

После получения пленок SiO₂ контролируют толщину и пористость пленок, состояние границы раздела Si - SiO₂.

Тема Осаждение пленок Si₃N₄ и поликремния.

Осаждение пленок нитрида кремния.

Нитрид кремния Si₃N₄ используют:

1. для пассивации (защиты) поверхности ИМС (уже сформированных на
кремниевых подложках) от проникновения молекул воды и ионов натрия, которые
могут привести к коррозии металлизации ИМС или к нестабильности ее электрических
характеристик;

2. в качестве маски при локальном окислении кремния, что обусловлено низкой скоростью окисления самого нитрида кремния ( закрытые маскирующей пленкой Si₃N₄ слои не окисляются );

3. в качестве маски при локальном травлении пленок SiO₂.

Осаждение пленок нитрида кремния осуществляется в результате химических реакций:

а) между силаном и аммиаком при атмосферном давлении и температурах 700° - 900°С

б) между дихлорсиланом и аммиаком при пониженном давлении и температурах 700° - 800°C

При пониженном давлении пленки Si₃N₄ получаются более однородные. После осаждения Si₃N₄ контролируют толщину и пористость пленки.

Осаждение пленок поликремния.

Различия между пленками из монокристаллического и поликристаллического кремния связаны с тем, что монокристаллический кремний имеет строго упорядоченное, регулярно повторяющееся расположение атомов кремния в пространстве, а в поликристаллическом кремнии атомы группируются в зерна, свободно ориентированные в пространстве.

Поликристаллический кремний (поликремний) используется:

1. в качестве затвора в МОП- транзисторах;

2. для формирования высокоомных резисторов;

3. для формирования проводящих дорожек.

Поликремний осаждается путем пиролиза (разложения) силанапри температуре 600°-650°С в реакторах, работающих при пониженном давлении:

Этот метод позволяет получать пленки однородного состава, а также вести процесс при низкой температуре с высокой скоростью осаждения.

Поликремний, осаждаемый при температуре 600°-650°С, имеет столбчатую структуру с размером зерен 0,03 - 0,3 мкм.

Поликремний может быть легирован путем диффузии, ионной имплантации или введением легирующих добавок в газовую смесь в ходе осаждения пленок. В ходе легирования происходит рост зерен до размера 0,5 - 1 мкм.

Тема Фотолитография

Фотолитография. Назначение основных операций.

Фотолитография - это многооперационный процесс, целью которого является получение рисунка нужной конфигурации на поверхности подложки с помощью ультрафиолетового света и светочувствительного вещества - фоторезиста.

В переводе с греческого языка фотолитография означает: "рисую с помощью света на камне".

Все операции фотолитографии выполняют в 3 этапа:

I. Формирование на поверхности подножки светочувствительного слоя (фоторезиста) определённой толщины.

II. Формирование рисунка (защитного рельефа) в слое фоторезиста.

III. Формирование рисунка на поверхности подложки (в слое плёнки, нанесённой на эту подложку).

Примечание: любую плёнку (SiO₂ , Si₃N₄, ФСС, поликремния, алюминия), нанесённую на поверхность подложки, называют технологическим слоем.

Последовательность выполнения основных операций фотолитографии.

1. Подготовка поверхности подложки

2. Нанесение фоторезиста I этап