Изучить основные технологии и маршруты изготовления ИМС.

Тема: Механическая обработка.

Требования, предъявляемые к полупроводниковым пластинам.

Технология современных микросхем предъявляет жесткие требования к геометрическим параметрам и качеству поверхности пластин.

Геометрические параметры пластин:

1. Диаметр пластин определяется размерами полупроводникового слитка. Стандартные диаметры- 60, 76, 100, 150 мм. На пластинах большего диаметра можно изготовить большее количество кристаллов ИМС.

2. Толщина пластин определяется стойкостью к механическим нагрузкам и способностью сохранять форму при проведении термических операций. Чем больше диаметр пластины, тем большей должна быть ее толщина. Стандартные толщины- 350, 380, 460, 700 мкм.

3. Профиль кромки пластин должен быть скругленным, а не прямоугольным с целью предотвращения появления сколов и трещин при перекладывании пластин в кассеты и при межоперационной транспортировке.

4. Базовый срез необходим для ориентированной установки (базирования) пластин в оборудование на участке фотолитографии. Одна из сторон кристалла ИМС всегда параллельна базовому срезу.

5.

Непараллельность, неплоскостность, прогиб должны быть в заданных допустимых пределах ( Δh₁ < 10 мкм; Δh₂ < 5 мкм; Δh₃ < 15 мкм ).

Качество поверхности пластинхарактеризуется глубиной механически нарушенного слоя, шероховатостью и качеством очистки от загрязнений.

Механически нарушенный слой состоит из трех частей:

1. наружный рельефный слой - имеет хаотически

расположенные выступы, трещины, выколки;

2.трещиноватый слой- имеет идущие вглубь

микротрещины;

3. деформированный слой - имеет продолжения

микротрещин и расположенные вокруг них зоны

механических напряжений.