русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Факторы, влияющие на ЭМС элементов и узлов ЭС

<== предыдущая статья | следующая статья ==>

ЭМС элементов и узлов ЭС зависит от соотношения допустимых и реальных искажений сигналов и параметров помех, что определяется помехоустойчивостью схем.

Помехоустойчивость цифровых и аналоговых схем характеризуется различными параметрами. Помехоустойчивость цифровых схем достаточно полно характеризуется амплитудой, длительностью и полярностью (отпирающие и запирающие помехи), а аналоговые – амплитудой и фазой помехи.

Из графиков на рис. 8.1 следует, что при малой длительности помех tн помехоустойчивость элементов ТТЛ увеличивается. Амплитуда помехи, соответствующая горизонтальной части кривой (при большой длительности помех), называется статической помехоустойчивостью. В ТУ на цифровые элементы обычно приводится статическая помехоустойчивость, которая для основных типов цифровых элементов имеет значение: для элементов ТТЛ-0,3…04 В, для элементов ЭСЛ-0,15…0,2 В, для элементов на МДП –структурах – порядка 1В.

Помехоустойчивость цифровых элементов часто характеризуется коэффициентом статической помехоустойчивости Кпом :

где Uпом л – амплитуда напряжения, характеризующая статическую помехоустойчивость; Uл пер – амплитуда логического перепада напряжения на выходе цифровой схемы.


Значения Кпом:

 

для ТТЛ

0,15…0,2

ЭСЛ

0,19…0,25

для элементов на МДП структуре с одним типом проводимости

0,05…0,1

для К-МДП взаимодополняющих (компретекторных) структур

0,5

 

Для аналоговых схем при нулевом сдвиге фазы сигнала Uпом относительно основного сигнала Uс, допустимой считается помеха

Uпом <0.1 Uс. Вопрос о допустимом сдвиге фазы является более сложным, так как необходимо учитывать знак обратной связи и коэффициент усиления контура, в котором действует помеха.

Искажение основных сигналов и уровень помех зависит от ряда факторов, определяемых в частности конструкцией монтажа:

1) электрической длиной электромонтажных линий связи и неоднородностью их параметров, к которым в первую очередь относится их характеристическое (волновое) сопротивление;

2) величиной и характером взаимосвязи совокупности электромонтажных линий;

3) числом взаимодействующих линий;

4) параметрами генераторов и приемников помех (амплитудой, длительностью, фазой, полярностью сигналов; входным, выходным сопротивлением и емкостью схемы).

Задача конструктора – выбор таких конструктивных решений, которые бы обеспечивали ЭМС элементов и узлов ЭС.

 


Просмотров: 2775

<== предыдущая статья | следующая статья ==>

Это будем вам полезно:

Виды линий связи и их электрические параметры

11.СИСТЕМНЫЕ КРИТЕРИИ ТЕХНИЧЕСКОГО УРОВНЯ И КАЧЕСТВА ИЗДЕЛИЙ

Разъемы в ЭС

Факторы взаимодействия в системе «человек-машина»

Мода - непродолжительное господство тех или иных харак­терных форм и стилевых признаков различных изделий

Преимущества печатного, шлейфового и плёночного монтажа

Влияние облучения на конструкционные материалы

Компоновочные схемы модулей СВЧ и АФАР

Компоновочные схемы ФЯ цифровой МЭА III поколения

Компоновочные схемы приёмоусилительных ФЯ МЭА III поколения

Интерьер- внутреннее пространство

Особенности автоинтерактивного конструирования средствами малых ЭВМ и АРМ

Терминология, применяемая в художественном конструировании ЭС Анализ

Вернуться в оглавление:Основы проектирования электронных средств




Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.