Полупроводниковые приборы. ГОСТ 2.730

УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ. - ОБОЗНАЧЕНИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМАХ.

5. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов
1.	Диод Общее обозначение
2.	Диод туннельный
3.	Диод обращенный
4.	Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) а) односторонний
б) двухсторонний
5.	Диод теплоэлектрический
6.	Варикап (диод емкостной)
7.	Диод двунаправленный
8.	Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами
9.	Диод Шоттки
10.	Диод светоизлучающий
6. Примеры построения обозначений тиристоров
1.	Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении
2.	Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении
3.	Тиристор диодный симметричный
4.	Тиристор триодный. Общее обозначение
5.	Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду
по катоду
6.	Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду
7.	Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: с управлением по аноду
с управлением по катоду
8.	Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак
9.	Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении

7. Примеры построения обозначений транзисторов
1.	Транзистор а) типа PNP

б) типа NPN

2.	Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом
3.	Транзистор лавинный типа NPN
4.	Транзистор однопереходный с N-базой

5.	Транзистор однопереходный с Р-базой

6.	Транзистор двухбазовый типа NPN

7.	Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области
8.	Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области
9.	Транзистор многоэмиттерный типа NPN
8. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены
1.	Транзистор полевой с каналом типа N

2.	Транзистор полевой с каналом типа Р
3.	Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: а) обогащенного типа с Р-каналом
б) обогащенного типа с N-каналом
в) обедненного типа с Р-каналом
г) обедненного типа с N-каналом
4.	Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки
5.	Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом
6.	Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки
7.	Транзистор полевой с затвором Шоттки
8.	Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки
9. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов
1.	Фоторезистор: а) общее обозначение
б) дифференциальный
2.	Фотодиод
3.	Фототиристор
4.	Фототранзистор: а) типа PNP
б) типа NPN
5.	Фотоэлемент
6.	Фотобатарея
10. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов
1.	Оптрон диодный
2.	Оптрон тиристорный
3.	Оптрон резисторный
4.	Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем
5.	Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: а) с выводом от базы
б) без вывода от базы
11. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов
1.	Датчик Холла Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника

2.	Резистор магниточувствительный
3.	Магнитный разветвитель