русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Краткая теория


Дата добавления: 2015-08-31; просмотров: 1192; Нарушение авторских прав


МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

ДОНСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИНСТИТУТ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ

КАФЕДРА ФИЗИКИ

 

Электростатика


методические указания к самостоятельной работе

По физике (раздел «Электричество и магнетизм»)

 

Ростов-на-Дону 2012

 

Составители: Н.В.Дорохова, В.П.Сафронов, В.В Шегай

 

УДК 537.8

 

 

Электростатика. Метод. указания. - Ростов н/Д: Издатель­ский центр ДГТУ, 2012 , 24 с.

 

 

Указания содержат краткие теоретические сведения по теме «Электростатика», примеры решения задач и задачи для самостоятельного решения.

Методические указания предназначены для выполнения самостоятельных работ по физике студентами ИЭМ технических специальностей всех форм обучения (раздел «Электричество и магнетизм»).

 

Печатается по решению методической комиссии факультета «Н и КМ»

 

Научный редактор к.ф.-м.н., доц. Лемешко Г.Ф.

 

©, Н.В.Дорохова, В.П.Сафронов, В.В Шегай, 2012

 

© Издательский центр ДГТУ, 2012

 

Оглавление

1. Краткая теория
2. Примеры решения задач
3. Задачи для самостоятельного решения
4. Справочные материалы
5. Варианты типовых заданий
6. Литература

Краткая теория

 

Закон Кулона:

,

где q1, q2 - точечные заряды; [q] = Кл.

— коэффициент в Си;

ε0= 8,85.10-12 Кл2/ (Н.м2) — электрическая постоянная;

ε— диэлектрическая проницаемость среды;



r — расстояние между зарядами.

Напряженность электрического поля:

;

где — сила, действующая со стороны электрического поля на заряд q.

[E] =Н/Кл = В/м,

Напряженность поля точечного заряда q на расстоянии r:

.

Напряженность электрического поля, создаваемого бесконечной плоскостью с поверхностной плотностью заряда σ:

,

где — элемент площади поверхности; [σ] = Кл/м2.

Напряженность электрического поля, создаваемого плоским конденсатором с поверхностной плотностью заряда на обкладках σ:

.

 

Напряженность поля на расстоянии rот бесконечно длинной нити с линейной плотностью заряда :

,

где dl — элемент длины нити; [] = Кл/м.

Напряженность электрического поля, создаваемого n зарядами (принцип линейной суперпозиции для напряженности электрического поля):

Потенциальная энергия заряда q, находящегося в точке поля с потенциалом φ:

W = q φ1 ;

[W] = Дж, [φ] = В.

Потенциал поля точечного заряда q на расстоянии r:

.

Потенциал электрического поля, создаваемого n зарядами (принцип линейной суперпозиции для электрического потенциала):

φ = φ1 + φ2 +…+ φn.

Работа электростатического поля по перемещения заряда q, из точки с потенциалом φ1 точку с потенциалом φ2:

A = q (φ1 – φ2).

Связь напряженности и потенциала:

,

где dφ изменение потенциала вдоль силовой линии протяженностью dl.

Напряженность поля плоского конденсатора:

,

где U— разность потенциалов, d — расстояние между пластинами.

Электрическая емкость проводника:

,

где q — заряд,φ — потенциал проводника. [C] = Ф.

Электрическая емкость конденсатора:

,

где q — заряд, U— напряжение между пластинами.

Емкость плоского конденсатора:

.

S —площадь пластины, d — расстояние между пластинами.

 

 

Емкость проводящего шара:

,

где r — радиус шара.

Параллельное соединение конденсаторов:

Последовательное соединение конденсаторов:

.

Энергия заряженного конденсатора:

.

 

ПРИМЕРЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Уровень С | Закон Кулона.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 1.074 сек.