Значения Si, DU, h21Э, RК приведены в табл. 2. Номер варианта выбрать в соответствии с предпоследней цифрой шифра зачетной книжки.
Таблица 2
Исходные данные к вариантам заданий
Вариант
Si, мА/лм
DU, В
h21»
Rк, кОм
2,0
3,0
3,0
3,6
1,0
2,4
1,5
9,2
1,2
5,6
0,5
2,4
0,75
6,2
2,5
10,5
1,1
9,6
0,8
7,5
Для выполнения задания необходимо уяснить следующие понятия. Под коэффициентом чувствительности фотодиода Si понимают отношение приращения его выходного сигнала к соответствующему приращению входного. Выходным сигналом фотодиода является изменение силы тока DIб в цепи базы транзистора, входным сигналом является приращение светового потока DФ.
Si = DIб/DФ.
Под коэффициентом усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером h21Э понимают отношение приращения силы тока в цепи коллектора DIКк соответствующему приращению силы тока в цепи базы DIб.
h21Э = DIК/DIб.
Таким образом, изменение (приращение) светового потока Ф вызывает изменение силы тока Iб в цепи базы транзистора. В свою очередь, изменение силы тока Iб ведет к изменению силы тока Iк в цепи коллектора транзистора. И, наконец, изменение тока Iк приводит к изменению падения напряжения на сопротивлении RК нагрузки транзистора. В результате приращение показания вольтметра в соответствии с законом Ома будет пропорционально приращению тока DIК.
