2. Подготовить цифровой омметр Щ4313 к измерениям: на нем должны быть нажаты кнопки "сеть", "кW", "2", остальные отжаты, а входные штекеры вставлены в гнезда "*" и "U, кW".
3. Включите измерительные приборы, дайте им прогреться.
4. Подготовьте таблицу по форме 5.2.
5. Измерьте и запишите комнатную температуру Tк.
6. Нажмите один раз кнопку нагрева 4 (кнопку нажатой не держать!).
7. Измерьте значения сопротивления полупроводника (переключатель 5 в положение "п/п" ) и металла (переключатель 5 в положение "мет." ) при значениях тока I от минимального до 800 мA через каждые 100 мA (см.табл.5.2).
Внимание! Не допускайте перегрева образцов. Для этого отключить нагреватель, нажав кнопку нагрева 4 сразу после измерений при токе 800 мА; при этом температура какое-то время будет ещё повышаться.
8. Повторите измерения аналогично п.7 в процессе охлаждения образцов при токе термопары 800 мА, 700 мА и так далее.
9. Вычислите среднее значение всех сопротивлений Rп/п и Rмет, полученных при нагревании (п.7) и охлаждении (п.8) образцов по формуле:
Rср=( Rнагр+Rохл)/2.
10. Используя градуировочный график (рис.5.6), определить температуру образца Т по значению силы тока в цепи термопары.
11. Результаты измерений и вычислений занести в таблицу по форме 5.2.
Таблица 5.2.
Нагрев
Охлаждение
Среднее
Т, К
,
.10-3 К-1
I ,
10-6А
Rп/п ,
103 Ом
Rме ,
103 Ом
Rп/п ,
103 Ом
Rме ,
103 Ом
Rп/п ,
103 Ом
Rме ,
103 Ом
Tк=
12. После окончания измерений выключите приборы и источники питания.
13. Постройте графики зависимостей Rм=f(Т), Rп/пр=f(Т) и lnRп/пр=f(1/T).
14. По графику Rм=f(Т) определите температурный коэффициент сопротивления для металла a, для чего найдите по графику R0 – сопротивление металла при Т=273 К, и по формуле (5.9) найдите a по некоторому значению RМ и соответствующей ему температуры t0C.
15. По формуле (5.1) найдите концентрацию электронов в металле, воспользовавшись табличными данными: Dм=8600 кг/м3; μ=0.064 кг/моль; zCu=1. Вычислите для металла r, g и un из формул (5.7), (5.6) и (5.5) соответственно, если l/S= 0.1 м -1.
16. Используя график зависимости lnRп/пр=f(1/T), определитеширину запрещенной зоны полупроводника eg по формуле (5.19). Выразите eg в джоулях и в электрон-вольтах.
17. Все полученные данные запишите в табл.5.3.
Таблица 5.3
R0,
Ом
α,
К-1
n,
м-3
ρ,
Ом.м
g,
Ом-1м-1
un,
м2с-1В-1
eg,
Дж
eg,
эВ
Контрольные вопросы
1. Чем определяется различие проводимости металлов, диэлектриков и полупроводников? От каких величин зависит удельная электропроводимость?
2. Что такое подвижность?
3. Объясните механизм возникновения сопротивления металла.
4. Как зависит сопротивление металла от температуры и почему?
5. Дайте определение температурного коэффициента сопротивления. В каких единицах он измеряется?
6. Как объясняет зонная теория деление твердых тел на металлы, полупроводники и диэлектрики?
7. Что такое валентная зона? Зона проводимости? Запрещенная зона? Как они образуются?
8. Сформулируйте принцип Паули.
9. Выведите формулу (5.17).
10. Объясните механизм собственной проводимости в полупроводниках.
11. Как зависит сопротивление полупроводника от температуры и почему?
12. Что такое энергия активации?
13. Объясните методику определения ширины запрещенной зоны (энергии активации) полупроводника.