Минск 2009

Министерство образования Республики Беларусь

Белорусский Национальный Технический Университет

Кафедра: “Робототехнические системы”

Отчёт

По лабораторной работе №5

“ Исследование полупроводниковых тиристоров ”

Выполнил:ст. гр.107417

Проверил:Дроздов А.В.

Минск 2009

Цель работы:

Ознакомление с принципом действия, конструктивными особенностями и параметрами полупроводниковых тиристоров; снятие вольтамперных характеристик тиристоров; исследование работы полупроводниковых тиристоров.

Теоретическая часть:

Тиристором называют полупроводниковый прибор с тремя или более n-p-переходами и двумя (динистор) или тремя (тринистор) выводами. Он может находиться в одном из двух устойчивых состояний: низкой проводимости (закрыт) или высокой проводимости (открыт). Структура, условное графическое и буквенное обозначения тиристора, его вольтамперная характеристика даны на рис.1.4а, б, в.

Основу прибора составляет кристалл кремния, в котором созданы четыре слоя с разными типами электропроводности. Внешний p-слой называют анодом (А), внешний n-слой - катодом (К), а два внутренних слоя - базами. Одна из баз имеет вывод - управляющий электрод (У).

При прямом включении (анод положителен по отношению к катоду) переходы П1 и П3 смещены в прямом направлении, а переход П2 - в обратном направлении. До тех пор, пока П2 закрыт, прямой ток практически равен нулю (участок оа характеристики рис. 1.4в). При некотором значении прямого напряжения, равном U_вкл.max, за счет перераспределения зарядов в области баз переход П2 открывается (точка а). Сопротивление его быстро уменьшается (участок аб), и тиристор работает на участке бв характеристики, которая подобна ВАХ диода.

Напряжение включения U_вкл.max можно уменьшить введением добавочных носителей заряда в любой из слоев, прилегающих к переходу П2. Добавочные носители заряда на рис.1.4а вводятся в слой p от вспомогательной управляющей цепи с независимым источником Е_y. При увеличении тока управления I_y характеристика (рис.1.4в) смещается влево (к естественной прямой ветви ВАХ диода). Тиристор остается во включенном состоянии, пока протекающий через него ток больше критического, называемого током удержания I_уд. Как только I_пр станет меньше I_уд, тиристор закрывается.

Следует отметить, что после включения тиристора объемные заряды в области перехода П2 будут компенсированы основным током, если он больше тока I_уд, и тогда ток управления I_уне нужен. Поэтому для снижения потерь в тиристоре он управляется короткими импульсами I_у.

При обратном включении тиристора (анод отрицателен по отношению к катоду) закрыты два перехода П1 и П3, и тиристор тока не проводит. Во избежание пробоя необходимо, чтобы обратное напряжение было меньше U_обр.max.

Основные параметры, используемые при выборе тиристоров: предельно допустимый анодный ток в открытом состоянии тиристора I_пр.max, предельно допустимое обратное напряжение U_обр.max, предельно допустимое прямое напряжение в закрытом состоянии тиристора U_пр.max, ток удержания I_уд.

Маломощные тиристоры применяют в релейных схемах и маломощных коммутирующих устройствах. Мощные тиристоры используют в управляемых выпрямителях, инверторах и различных преобразователях.

Практическая часть:

Схема установки: