2.1. Расчетные формулы по теме «ЭК»
P = xε0E – поляризованность диэлектрика, где x– диэлектрическая восприимчивость вещества.
Е
– напряженность результирующего поля внутри диэлектрика.
D = ε0E + P = ε0E0 + xε0E – электрическое смещение.
– теорема Гаусса для электростатического поля в диэлектрике.
p = |q|l– дипольный момент.
E = -
– напряженность Е в случае неоднородных полей.
(Ф) – определение электроемкости уединенного проводника.
q = CU (Кл) – заряд конденсатора.
(Ф) – определение электроемкости конденсатора.
– определение электроемкости плоского конденсатора с диэлектриком.
Cш = 4πε0εR – электроемкость уединенного проводящего шара.
– электроемкость цилиндрического конденсатора.
– потенциал уединенного проводящего шара.
– электрическое поле Е вблизи поверхности заряженной сферы в диэлектрике.
D = ε0εE (Кл/м2) – диэлектрическое смещение.
Параллельное соединение одинаковых конденсаторов:
U = U1 = U2 = Un = const; q = ∑qi; C = ∑Ci.
Последовательное соединение одинаковых конденсаторов:
U = U1 + U2 + … + Un; q = q1 + q2 + … + qn; 1/C = ∑1/Ci.
W = Cφ2/2 = qφ/2 = q2/2C – энергия уединенного заряженного проводника.
W = CU2/2 = qU/2 = q2/2C – энергия электрического поля заряженного конденсатора.
ω = W/V = εε0E2/2 = DE/2 = D2/2ε0ε (Дж/м3) – объемная плотность энергии электростатического поля конденсатора.
F = −ωS (Н) – сила взаимодействия между пластинами плоского заряженного конденсатора.
– разряд конденсатора через активное сопротивление R.
τэ =
– экспериментальное значение релаксации разряда конденсатора через активное сопротивление.
τт = RC – теоретическое значение времени релаксации.