русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Емкости p-n перехода. Схемы замещения p-n перехода.


Дата добавления: 2015-08-31; просмотров: 1534; Нарушение авторских прав


Инжекция неосновных носителей заряда в случае приложения к р-n-переходу прямого напряжения и экстракция неосновных носителей заряда в случае приложения к

переходу обратного напряжения приводят к изменению по сравнению с равновесными

концентраций носителей заряда вблизи перехода. Изменение величины приложенного

внешнего напряжения вызывает изменение распределения избыточных носителей вблизи

перехода, а следовательно, величины суммарного объёмного заряда. Это явление

напоминает процессы в обычном конденсаторе, в котором изменение напряжения,

приложенного к обкладкам, вызывает изменение накопленного заряда по закону Δq=СΔU.

Поэтому принято считать, что р-n-переход обладает емкостными свойствами или просто

ёмкостью. Ёмкость р-n-перехода оказывает чрезвычайно важное влияние на его

импульсные свойства.

Емкостные свойства р-n-перехода различны при прямом и обратном смещениях.

Так, при прямом смещении они обусловлены главным образом накоплением избыточных

концентраций неосновных носителей заряда в р- и n-областях и характеризуются так

называемой диффузионной емкостью.

Из уравнения (2.1) видно, что с увеличением прямого напряжения (U>0)

диффузионная ёмкость р-n-перехода быстро возрастает. При обратном смещении (U<0)

диффузионная ёмкость уменьшается, и при достаточно большой величине обратного

напряжения ее можно считать равной нулю.

При обратном смещении емкостные свойства р-n-перехода обусловлены

образованием областей объемных зарядов ионизированных примесных атомов и

характеризуются так называемой барьерной ёмкостью, которая для резкого р-n-перехода

диэлектрическая проницаемость полупроводника; H0 –

электрическая постоянная.

Следовательно, барьерная ёмкость тем больше, чем выше концентрации примесей в полупроводнике и чем меньше напряжение, приложенное к переходу. Учитывать барьерную ёмкость особенно важно при достаточно больших обратных смещениях р-n перехода, так как диффузионная емкость при этом практически равна нулю. При прямом смещении барьерная емкость значительно меньше диффузионной.



Схема замещения P-N перехода.

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Технология изготовления транзисторов. | Энергетические диаграммы транзистора при включении с общей базой.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.121 сек.