и индуцированным каналом

Этот вид транзистора отличается от предыдущего тем, что при отсутствии напряжения на затворе канал отсутствует (рис.14). Подача на затвор отрицательного напряжения не изменяет картины. Если же на затвор подать положительное напряжение больше порогового U_зи>U_{зи пор}, то созданное им электрическое поле “втягивает” электроны из n⁺ областей, образуя тонкий слой n-типа в приповерхностной области р-подложки (рис.14а).

З

И С С

n⁺ n⁺

П

З

p И

П б)

а)

I_с mA I_с mA

U"_зи>U'_зи

U_зи>U_{зи пор.}

U_зи=0

0 U_{зи пор.} U_зи,В 0 U_си,В

в) г)

Рис.14

Этот слой соединяет исток и сток, являясь каналом n-типа. От подложки канал изолируется возникшим обедненным слоем.

Таким образом, полевые транзисторы с индуцированным n-каналом, в отличии от транзисторов со встроенным каналом, управляются только положительным сигналом U_зи>U_{зи пор.} Значение U_{зи пор .}≈ 0,2 ÷ 0,1 В.

Значительно больше пороговое напряжение у транзисторов с индуцированным р-каналом. Значение U_{зи пор .}≈ -(2 ÷ 4) В. Управляются они отрицательным входным сигналом (рис.15в).

З

И С С

p⁺ p⁺

П

З

n И

П а) б)

I_с mA I_с mA U_зи= -10В

10 10 U_зи= -6В

U_зи= -4В

5 5

0 -2 -4 U_зи, В 0 5 10 - U_си, В

в) г)

Рис.15

Преимущество полевых транзисторов:

1. Высокое входное сопротивление для транзисторов с p-n- переходом 10⁶ ÷ 10⁹ Ом, а для МДП или МОП транзисторов 10¹³ ÷ 10¹⁵ Ом.

2. Малый уровень собственных шумов, нет рекомбинационного шума.

3. Высокая устойчивость против температурных и радиоактивных воздействий.

4. Высокая плотность расположения элементов при изготовлении интегральных схем.