Электроно-дырочный переход или P-n-переход – слой границы двух областей полупроводников с различными типами электропроводности, в зависимости от состояния на границе областей, носители стремятся равномерно распределяться по своему объему, начинается процесс диффузии и возникает зона с низкой концентрацией носителей ширины P-n-перехода 0,1-1 микрометра.
Основные носители под действием внешнего поля будут двигаться друг к другу вследствие чего, число носителей в переходном слое возрастет и потечет ток, такое включение называется прямым, а состояние перехода открытое, при обратном включении основные носители отойдут от перехода. P-n-переход называется закрытым. Зависимость тока через переход от приложенного напряжения называется вольтамперная характеристика перехода (ВАХ).
Первая функция – прямое включение перехода, обратная ветвь соответствует закрытому переходу и обратная создается не основными носителями заряда, если и обратная увеличилась, ток резко увеличится, происходит пробой перехода.
Различают:
- электрический пробой;
- тепловой пробой.
