· Розрізання металічними дисками з алмазними ріжучими кромками, при високій кутовій швидкості.
· Розрізання сталевим полотном з абразивною суспензією.
· Розрізання дротом з абразивною суспензією
· Розрізання ультразвуком з абразивною суспензієй
2. Шліфування пластин. Операція мусить забезпечити паралельність та площинність сторін, однакову товщину пластин в партії, не мусить бути грубих подряпин.
Шліфування виконується на плоскошліфувальних станках з застосуванням спеціальних матеріалів, таких як штучний корунд (0,25 мікрон величина зерна), карбід кремнію SiC (карборунд, твердість 9,5. Зерно 0,2-0,25мікрон), допуск на товщину пластин ±1 мікрон.
IV. етап Очистка напівпровідникових пластин. Мета − видалити з поверхні шлам . Способи очистки:
1. Травлення пластин операція передбачає зняття з поверхні пластин зовнішній шар порушеної кристалічної решітки, порушений механічною обробкою. З цією метою пластини піддають хімічному травленню в кислих та лужних розчинах (суміш плавикової та азотної кислоти). Тип травлювача визначається необхідною структурою поверхні, при цьому в процесі травлення пластини знаходяться у підвішеному стані.
2. Промивка, виконується, зазвичай, багаторазово, мусить бути ефективною, щоб видалити з поверхні залишки травлювачів та стравлених матеріалів, при чому, вода для змивки мусить бути особливо чистою водою, що не мусить містити іонів важких металів, їх наявність впливає на поверхневий потенціал напівпровідника, що може призводити змінення структури в процесу дифузії, тому для очистки застосовують деіонізовану воду - це дистильована вода, що пропускається через іонообмінювачі: позитивні і негативні. Дистильована вода має опір2-4*103 Ом/м, дистильована у вакуумі 1-1,2*105 , а деіонізована 2-3*105. Принцип деіонізації полягає у видаленні розчинених іонних забруднень шляхом контакту очищеної води з речовинами здатними ПРОИЗВОДИТЬ заміщення іонів в залежності від того, який тип іонів необхідно видалити, тобто це може бути катіонне заміщення і аніонне заміщення .
V. Епітаксіальний процес— процес, при якому плівка з того самого напівпровідникового матеріалу наноситься на підкладку напівпровідника в газовому чи паровому потоці. Епі (над) - таксі (розміщувати), тобто в процесі епітаксіального вирощування проводиться надбудова монокристалу кремнію (або германія) по всій поверхні підкладки додатковим монокристалічним шаром товщиною близько 25 мікрон, при цьому кристалічна решітка епітаксіального шару продовжує кристалічну решітку підкладки, цей шар дозволяє формувати в ньому елементи і покращує характеристики компонентів.
Епітаксіальна плівка вирощується на чистій кремнієвій підкладці шляхом осідання атомів кремнію з газової фази, при температурі 110 градусів, джерело (кремній або германій) утворює з'єднання з йодом, що дифундує в зону з низькою температурою і при охолодженні це з'єднання розкладається на SiI4 +Si. Це з'єднання повертається в зону з високою температурою і відновлюється до початкового з'єднання. Процес продовжується до повного витрати кремнія або йода. Якщо використовувати в якості джерела кристал одного типу p або n, а підкладку протилежного типу провідності, то можна виростити легований шар, тобто створити p-n перехід.
Існує 2й метод: метод термічного розкладання хлоридів.
.
Робочий газ водень проходить через охолоджуваний сосуд з 4х хлористим кремнієм і заносить його в трубку з кремнієвими пластинами, що нагріті до температури 1200° - 1300°С, де SiCl4 розкладається з виділенням чистого кремнію.
VI. Процес окислення кремнія— це покриття поверхні кристалу кремнію шаром SiO2 або GeO3. Встановлено, що цей шар являє собою ефективний бар'єр перешкоджаючий проникненню в кремній багатьох домішок. Ця властивість шару окису використовується для отримання маски при створенні складних структур. Товщина шару — десяті долі мікрона. Шар може нарощуватись у печі, що застосовується для проведення дифузії, в якості окислювача використовується кисень, або пари води. Робоча температура дорівнює 900° - 1200°С.
Процес тривалий: для отримання плівки в 1 мкм, треба нарощувати декілька годин.
.