Напівпровідникові інтегральні мікросхеми

Напівпровідникові інтегральні мікросхеми -- мікроелектронні вироби, комплект радіодеталей та міжз'єднань в яких виконується в об'ємі, або на поверхні кристалу напівпровідника. В якості основи напівпровідникових ІМС можуть використовуватись будь-які напівпровідникові матеріали, такі як: електролюемінісцентні, магнітострикіційні, електрострикційні, феромагнітні, фероелектричні, теромоелектричні і т.д. Але перевагу надають кремнію та германію -- матеріалам, що володіють найбільш доскональною структурою.

Області с потрібними електричними властивостями (резистивні, ємкісні, активні елементи) створюються шляхом внесення в кристал локальних неоднорідностей шляхом дифузії домішок. Виробництво напівпровідникових ІМС дозволило різко підвищити щільність монтажу до мільйона деталей в одному кубічному дециметрі завдяки розробці та ВНЕДРЕНИЮ принципово нових технологічних процесів, це -- дифузія з газової фази, метод оксидних масок, променевої літографії і т.д.

Переваги напівпровідникових ІМС:

· Висока щільність монтажу;

· Висока надійність, що обумовлена зменшенням числа міжз'єднань;

· Можливість широкої комплексної автоматизації процесу проектування та виготовлення;

· Можливість виконання контролю параметрів в процесі виробництва (автоматизованого контролю);

· Стійкість до механічним навантаженням, що обумовлено малими розмірами та малою вагою.

Недоліки:

· Не всі функціональні пристрої можуть бути реалізовані в ІМС (потужні схеми передавачів);

· Менша гнучкість розробок;

· Висока вартість розробок та виробництва.

· Вимагає складного обладнання;

· Практично неремонтнопридатність.