Содержание отчета

1. Статические, динамические и предельно допустимые параметры силовых ключей на биполярных, MOSFET- и IGBT-транзисторах.

2. Виртуальная установка для исследования биполярных транзисторных ключей.

3. Результаты настройки установки на оптимальный режим насыщения.

4. Переходные характеристики включения, выключения и характеристики насыщения биполярных, MOSFET- и IGBT-транзисторов.

5. Временные диаграммы импульсов напряжения, формируемых ключами на биполярных, MOSFET-транзисторах и IGBT-транзисторах.

6. Расчеты КПД ключей на биполярных, MOSFET-транзисторах и IGBT-транзисторах.

7. Таблица 3.6 с измеренными статическими и динамическими параметрами силовых ключей и с рассчитанными значениями КПД.

8. Сравнительный анализ ключей по статическим и динамическим показателям и по КПД. Выводы по работе.

Контрольные вопросы

1. Что такое семейство силовых транзисторных ключей?

2. Как определяется величина сопротивления в лабораторной установке?

3. Какой величины выбираются источники напряжения в установке для исследования биполярных транзисторных ключей?

4. В чем состоит различие между задержкой включения , задержкой выключения и временем задержки рассасывания неосновных носителей зарядов ?

5. Что такое пороговое напряжение у MOSFET-транзисторов и IGBT-транзисторов?

6. Что такое коэффициент насыщения биполярного транзистора?

7. Каким образом формируется индуцированный канал у MOSFET-тран­зис­торов?

8. Какую традиционную область применения имеют IGBT транзисторные ключи?

9. Какие недостатки имеет биполярный транзисторный ключ?

10. В чем состоят достоинства и недостатки ключей на MOSFET-тран­зи­с­торах?

11. Какие достоинства имеет IGBT-транзистор?

12. Что такое драйверы, по каким схемам и в каком исполнении они выпускаются?

13. Почему у IGBT-ключа падение напряжения в проводящем состоянии меньше, чем у MOSFET-ключа?

14. Как классифицируются IGBT-ключи по частотным свойствам?

15. Какие семейства ключей не имеют конкуренции в диапазоне напряжения меньше 200 В?

16.Что такое поколения IGBT-транзисторов и в каком направлении идет эволюция потерь мощности в поколениях IGBT?

Рекомендуемая литература

1. Розанов Ю.К. Силовая электроника : учеб. для вузов / Ю.К. Розанов, М.В. Рябчицкий, А.А. Кваснюк. – М. : МЭИ, 2007. – 632 с.

2. Электротехнический справочник. В 4 т. Т. 2. Электротехничес­кие изделия и устройства / под общ. ред. проф. МЭИ В.Г. Герасимова [и др.]. –
М. : МЭИ, 2001. – 518 с.

3. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение / П.А. Воронин. – М. : Додэка, 2001. – 384 с.