Исследуемые модели силовых транзисторов

Транзис­торы	Модели (по вариантам)
Биполярные	Тип	ZTX605	ZTI1053A	ZTX1055	ZT653	ZFZT651	ZFZT692B	ZTX1051A	ZTX690B	ZTX849	ZTX650
Полевые MOSFET	Тип	IRF3205	IRF3710	IRF510	IRF520	IRF5301	IRF541	IRF830	IRF840	IRF110	IRFI520N
			5,6	9,2					3,5	7,6
Полевые IGBT	Тип	IRGPC 50M	IRGPC 40K	IRGPC 50K	IRGBC 30UD2	IRGBC 830K2	IRGBC 20U	IRGPH 40K	IRGPC 40UD2	IRGPC 20F	IRGPC 20U

3. Снять переходную характеристику включения биполярного транзисторного ключа в соответствии с методикой, изложенной в п. 3 (с. 35). Привести характеристику в отчете в виде рис. 3.9. Определить динамические параметры включения транзистора и записать их в табл. 3.6.

4. Снять переходную характеристику выключения биполярного транзисторного ключа в соответствии с методикой, изложенной в п. 4 (с. 36). Привести характеристику в отчете в виде рис. 3.10. Определить динамические параметры выключения транзистора и записать их в табл. 3.6.

5. Получить временную диаграмму коммутации транзисторного ключа
в соответствии с методикой, приведенной в п. 6 (с. 37). Привести ее в отчете
в виде рис. 3.11. Определить по диаграмме амплитуду импульсов напряжения
и частоту коммутации. Эти данные привести в подрисуночной подписи к временной диаграмме.

6. Снять характеристику насыщения транзисторного ключа, определить его статические параметры в соответствии с методикой, приведенной в п. 7
(с. 37), и занести их в табл. 3.6. Используя выражения (3.2.) и (3.3), определить потери мощности в биполярном транзисторном ключе и его КПД при коммутации тока (табл. 3.5) с частотой 10 кГц. Значение КПД занести в табл. 3.6.

Таблица 3.6

Статические и динамические параметры
силовых транзисторных ключей

Транзистор	Параметры
					, В		η,     о. е.
нс
Ом
Биполярный
MOSFET
IGBT

7. В папке «Лаб. 2» открыть виртуальную лабораторную работу «MOSFET» и в соответствии с методиками, изложенными в пп. 3, 4, 6, 7 (с. 35–37), определить статические и динамические параметры модели силового MOSFET-ключа, заданной преподавателем из табл. 3.5. Результаты измерений переходных характеристик MOSFET-ключа представить на рис. 3.13, 3.15, 3.17, 3.19. Статические и динамические параметры MOSFET-ключа занести в табл. 3.6. Определить потери мощности в MOSFET транзисторном ключе и его КПД при коммутации тока (табл. 3.5) с частотой 10 кГц. Значение КПД занести в табл. 3.6.

8. Открыть виртуальную лабораторную работу «IGBT» по исследованию переключательных характеристик и характеристики насыщения модели IGBT силового ключа, заданной преподавателем из табл. 3.5. В соответствии с методиками, изложенными в пп. 3, 4, 6, 7 (с. 35–37), провести необходимые измерения. Результаты представить на рис. 3.14, 3.16, 3.18, 3.20 и занести в табл. 3.6. Определить потери мощности в IGBT транзисторном ключе и его КПД при коммутации тока
(табл. 3.5) с частотой 10 кГц. Значение КПД занести в табл. 3.6.